1) Semilinear monomial equivalence
半线性单项等价
2) monomail equivalent
单项等价
3) equivalent linearization approach
等价线性
1.
The dynamic response of the concrete faced rockfill dam in Hongjiadu Project is calculated by using equivalent linearization approach and incremental iterative numerical method based on boundary surface hypoplasticity model.
以洪家渡面板堆石坝为算例,分别采用基于等效线性模型的等价线性法和基于亚塑性边界面模型的增量迭代法对坝体的动态响应进行了三维有限元对比分析。
4) linear equivalent
线性等价
1.
It s prove that the NLCCs of S-boxes of AES are linear equivalent, and the group formed by the zero transformation and all transformations constructed in this paper for equivalence of a given NLCC to NLCCs under the pointvrise a.
本文借助有限域上的迹变换,证明了有限域GF(2n)上的幂双射xk的坐标函数的非零线性组合都线性等价,且等价变换共有2n-1个;证明了AES算法的S盒的坐标函数的非零线性组合都线性等价,且在添加0元后,本文构造的坐标函数的给定线性组合到其它线性组合的等价变换全体构成{0,1}n同构的群。
5) linear equivalence
线性等价性
1.
In this paper, the linear equivalence of output coordinate functions of affine inverse functions and the S-box of Camellia are discussed.
文中讨论了仿射逆函数的输出分量函数所具有的线性等价性,给出了欧洲NESSIE计划的入选算法Camellia算法的S盒输出分量函数的统一等价表示,并证明这种线性等价表示是仿射逆函数所不能避免的。
6) equivalent linearization
等价线性化
1.
Applying equivalent linearization method and solving state equation, statistical values of responses are obtained.
首先由Clough-Penzien模型的功率谱密度生成人造地震动样本,作为随机地震动输入;层间恢复力模型采用光滑型滞变恢复力模型,利用等价线性化法,并通过对状态方程的求解,得到反应的统计量;针对密肋复合墙体的损伤模型,给出了基于累积损伤的动力可靠度的计算公式;通过编制程序,分别计算了墙体在多遇地震、基本烈度地震、罕遇地震下,砌块开裂、墙体屈服、墙体达极限状态三种情况下的动力可靠度;并与试验结果进行了对比分析,证明了计算结果的可靠性,并说明了密肋复合墙体是安全可靠的。
2.
An equivalent linearization method based on wavelet transformation is represented,and compared with the traditional equivalent linearization technique.
提出了基于小波的等价线性化方法,并同传统的等价线性化方法进行了比较。
3.
With the aid of the stochastic central difference formula,together with the time-dependent equivalent linearization,a recursive algorithm for the covariance matrix of the nonstationary random response of nonlinear systems is developed.
利用随机中心差分法离散化格式,结合时变等价线性化步骤,建立了多自由度非线性系统受非白噪声随机激励作用下非平稳响应协方差矩阵的递推算法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条