1) undoped semi-insulating InP
非掺杂半绝缘InP
2) Undoped Semi-insulating LEC GaAs
非掺杂半绝缘LECGaAs
1.
Effect of Nonuniformity in Distributions of Impurities and Defects on Measurement of Hall Data for Undoped Semi-insulating LEC GaAs;
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。
3) semi-insulated InP substrate
半绝缘InP衬底
4) undoped SI-In P
未掺杂SI-InP
5) doped Mott insulators
掺杂Mott绝缘体
1.
I describe a recent theory that models high temperature superconductors as doped Mott insulators.
作者最近的一项理论工作对高温超导体作为一种掺杂Mott绝缘体进行了新的探索 ,得到一个长波低能极限的有效理论 ,强调了自旋反铁磁性和超导电性之间的拓扑互偶关系 。
6) SIPOS
掺氧半绝缘多晶硅
1.
The semi-insulating polycrystalline-silicon (SIPOS) film has been deposited on Si substrate by LPCVD method.
通过LPCVD的方法,在Si基体表面制备了掺氧半绝缘多晶硅薄膜(SIPOS),分析了钝化机理,讨论了不同流量比与沉积速率、含氧量的关系以及SIPOS膜的含氧量对膜系结构、电阻率、折射率的性能影响,获得了最佳钝化条件,测试结果表明SIPOS薄膜晶体管击穿电压高、可靠性好、性能更稳定,可以满足现代生产的需要。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条