2) vapor phase chemical treatment
气相化学法
3) Catalysis CVD
化学气相催化法
4) Chemical vapor deposition
化学气相沉积法
1.
Silica coating was prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition taking HP40 steel plate as substrate,tetraethyl orthosilicate as silica source,and air as carrier gas and diluent.
以正硅酸乙酯为硅源物质、空气为载气和稀释气,采用常压化学气相沉积法在HP40钢表面制备了SiO2涂层;采用扫描电子显微镜和能量色散能谱表征了SiO2涂层的组织结构和表面形貌;考察了在乙烯裂解的工艺条件下SiO2涂层的结焦抑制能力。
2.
Single-walled carbon nanotubes have been prepared from coal gas by catalytic chemical vapor deposition technique with ferrocene as catalyst, and electrochemistry analysis was carried on supercapacitance using nanotubes as electrodes.
开发以煤气为碳源采用化学气相沉积法制备单壁碳纳米管,并对其作为超级电容器电极的电化学性能进行研究。
3.
Carbon nanotubes (CNTs) is prepared by means of chemical vapor deposition (CVD) method.
利用化学气相沉积法制备碳纳米管(carbonnanotubes,CNTs),分析了气源、催化剂及温度等因素对CNTs形貌和纯度的影响。
5) chemical vapor transport
化学气相输运法
1.
Zn1-xCoxO crystals were synthesized by chemical vapor transport method at 970℃ on the sapphire substrate and quartz substrate,respectively in this paper.
本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。
2.
In this paper,The morphology of the ZnO doped with high concentration Co by chemical vapor transport method on the sapphire substrate was investigated.
采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌。
6) chemical vapor infiltration
化学气相渗透法
1.
0% fabricated by the chemical vapor infiltration was studied using oxyacetylene ablation equipment.
用化学气相渗透法制备了三维针刺碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料,复合材料的平均密度为2。
2.
5 D) carbon-fiber-reinforced silicon carbide(C/SiC) composite were prepared by the chemical vapor infiltration process and the tensile properties of the composites along the warp and weft direction were compared as a function of fiber architectures and processing-induced cracks.
采用化学气相渗透法制备了2维和2。
补充资料：化学气相输运法
分子式：
CAS号：
性质：单晶生长和物质提纯的重要方法。在很多场合下，化学气相输运和化学气相沉积并没有严格的区别，只是应用的场合和反应装置有所不同。一般来说，化学气相沉积主要指薄膜的制备，而化学气相输运则常指用于单晶生长、新化合物的合成和物质的提纯等场合。当利用化学气相输运方法制备一种固体物质A的晶体时，可以在体系中加入输运剂B，物质A与输运剂B反应生成挥发性的产物C，并建立起如下化学平衡：iA(s)+kB(g)←→jC(g)。反应物封闭在石英容器里，并置于有一定温度梯度的管式炉中。由于在不同的温度下，上述反应的平衡常数不同，生成的气相物质C从容器的一端输运到另一端时，平衡向相反方向移动，使A沉积下来。用这种方法可以使物质A得到纯化，还可以得到很好的晶体。化学气相输运是一种低温下进行的反应，可以用于制备一些只有在低温下稳定的化合物。碘、水和盐酸是常用的输运剂。
CAS号：
性质：单晶生长和物质提纯的重要方法。在很多场合下，化学气相输运和化学气相沉积并没有严格的区别，只是应用的场合和反应装置有所不同。一般来说，化学气相沉积主要指薄膜的制备，而化学气相输运则常指用于单晶生长、新化合物的合成和物质的提纯等场合。当利用化学气相输运方法制备一种固体物质A的晶体时，可以在体系中加入输运剂B，物质A与输运剂B反应生成挥发性的产物C，并建立起如下化学平衡：iA(s)+kB(g)←→jC(g)。反应物封闭在石英容器里，并置于有一定温度梯度的管式炉中。由于在不同的温度下，上述反应的平衡常数不同，生成的气相物质C从容器的一端输运到另一端时，平衡向相反方向移动，使A沉积下来。用这种方法可以使物质A得到纯化，还可以得到很好的晶体。化学气相输运是一种低温下进行的反应，可以用于制备一些只有在低温下稳定的化合物。碘、水和盐酸是常用的输运剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条