1) RACDA model
RACDA退激发模型
2) The radiative-Auger-double Auger cascade model(RACDA)
辐射-俄歇-双俄歇级联退激发模型(RACDA)
3) radiative_Auger_cascade model
辐射-单俄歇级联退激发模型
4) radiative_Auger_double Auger_cascade model
辐射-单俄歇-双俄歇级联退激发模型
5) model of receding evaporation plane
蒸发面后退模型
6) the thermal activation model
热激发模型
1.
The complete analytical expressions of 1/f noise in MOSFETs is derived on the basis of this theory for the thermal activation model.
本文推广应用随机开关理论,建立了MOS器件1/f噪声的双态系统理论,提出了确定载流子俘获与释放过程时间常数的方法,在此基础上推导出MOS器件热激发模型的1/f噪声表达式,给出了迄今比较完整的温度因子和偏置因子表示式。
补充资料：晶体中的元激发(见固体中的元激发)
晶体中的元激发(见固体中的元激发)
elementary excitation in crystal
晶体中的元激发eleme讯ary excitation Incrvstal见固体中的元激发。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条