1) interface tunneling effect
界面隧穿效应
2) interfacial tunneling
界面隧穿
3) tunneling effect
隧穿效应
1.
The simulation study of the tunneling effect in the breakdown of 4H-SiC pn junction diode;
4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究
2.
The exact premises of avoiding the tunneling effect are given.
对垒阱中电子波动行为及隧穿情况做了详细的理论分析,并给出如何避免隧穿效应的具体条件。
3.
By comparing all of the different electron transfer processes between the deep-trap centers(Mn2+/Mn3+) and the shallow-trap centers(Fe2+/Fe3+),our results show that the direct electron exchange between the Mn2+/Mn3+ and the Fe2+/Fe3+ levels due to the tunneling effect dominates the amplitude of total space charge field under di.
在各种实验条件下通过比较双中心模型中深(Mn2+/Mn3+)、浅(Fe2+/Fe3+)能级之间所有可能的电子交换过程,发现由深浅能级之间直接电子交换过程所导致的隧穿效应对LiNbO3:Fe:Mn晶体总的空间电荷场的大小起着决定性的作用。
5) resonant tunneling effect
共振隧穿效应
1.
It provides a basis of research for electric-mechanical coupled transducer based on resonant tunneling effect.
为基于MEMS共振隧穿效应的力电耦合传感器的研究提供了一定的基础。
6) Fowler-Nordheim
Fowler-Nordheim隧穿效应
1.
Under the assumption that the charge loss mechanism is Fowler-Nordheim tunneling through the thin oxide,the data retention time of EEPROM cells is derived,and the experience formula is check.
在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条