1) Quantum resonant effect
量子隧穿效应
2) tunneling effect
隧穿效应
1.
The simulation study of the tunneling effect in the breakdown of 4H-SiC pn junction diode;
4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究
2.
The exact premises of avoiding the tunneling effect are given.
对垒阱中电子波动行为及隧穿情况做了详细的理论分析,并给出如何避免隧穿效应的具体条件。
3.
By comparing all of the different electron transfer processes between the deep-trap centers(Mn2+/Mn3+) and the shallow-trap centers(Fe2+/Fe3+),our results show that the direct electron exchange between the Mn2+/Mn3+ and the Fe2+/Fe3+ levels due to the tunneling effect dominates the amplitude of total space charge field under di.
在各种实验条件下通过比较双中心模型中深(Mn2+/Mn3+)、浅(Fe2+/Fe3+)能级之间所有可能的电子交换过程,发现由深浅能级之间直接电子交换过程所导致的隧穿效应对LiNbO3:Fe:Mn晶体总的空间电荷场的大小起着决定性的作用。
4) quantum tunneling
量子隧穿
1.
Study of the quantum tunneling from the symmetric to asymmetric double-well potential;
从对称到非对称双势阱中量子隧穿特性的研究
2.
Scattering matrix method and numerical simulation for electronic quantum tunneling a double-barrier;
电子双势垒量子隧穿的散射矩阵方法及其数值模拟
3.
KIEs of this reaction are also sensitive to the temperature,which means that there is obvious quantum tunneling occurred in this reaction.
这个反应对温度比较敏感,所以反应存在明显的量子隧穿现象。
6) quantum tunnel effect
量子隧道效应
1.
A novel mechanism is proposed for quantum tunnel effect.
并对量子隧道效应提出了不同于海森伯测不准原理的新解释,预言粒子穿透隧道所需时间正比于隧道长度之平方,建议用隧道二极管做实验加以验证。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条