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1)  The incident beam modulated
入射光调制
2)  photoreflectance
光调制反射
1.
Photoluminescence (PL) and photoreflectance (PR) spectra of GaInNAs/GaAs multiple quantum wells (MQWs) grown on GaAs substrate by MBE are measured over a range of temperature and excitation power density.
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 。
2.
The experimental results in GaAs/AlGaAs and strained InGaAs/GaAs multiple quantum wells by using DR technique at room temperature were presented, and compared with the experimental results of photoreflectance (PR) spectra and the theoretical values.
报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射(DR)光谱技术,给出GaAs/AlGaAs多量子阱和应变InGaAs/GaAs多量子阱在室温下的DR谱实验测量结果,并与光调制反射谱(PR)实验和理论计算结果相比较。
3.
The photoluminescence, photoreflectance and Raman spectra of ZnTe/Zn 1 x Mn x Te superlattice samples grown by MBE technique were studied from 11 to 80K.
在11K-80K温度范围内研究了用MBE生长的ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱。
3)  Modulated photoreflectance
调制光反射
4)  photoreflectance spectroscopy
光调制反射光谱
1.
In this article,we report another form o f photoreflectance spectroscopy-space differential photoreflectance (SDPR) spec troscopy.
本文报道了空间差分光调制反射光谱 ,指出了它与常规光调制反射谱的区别。
5)  modulation reflectancespectrum
调制反射光谱
6)  optically modulated scatterer
光调制散射器
1.
This paper gives the deduction of optically modulated scatterer to measure radiation near-field through reciprocity principle and the structure of the optically modulated scatterer system.
给出以互易原理为基础的光调制散射器测量法的理论推导,采用光电二极管光导开关作为散射器中间部分的光调制单元,设计出了实用的光调制散射器微波测量系统。
2.
This paper uses an optically modulated scatterer system to measure microwave field with minimal disturbance.
光调制散射器的测量方法最大限度地减少了测量装置对被测场的扰动,特别适合于测量导体附近和具有复杂路径场的幅值和相位分布,可以用于对辐射天线近场的测试以及孔缝耦合中场的测量,可为天线的设计,微波孔缝耦合效应的研究提供较精确的实验数据。
补充资料:光调制器
      一种改变光束参量传输信息的器件,这些参量包括光波的振幅、频率、位相或偏振态。舰船之间的灯光通信就是一个常见的例子。过去常采用由电动机带动的开槽圆盘或调制盘实现对光的调制。近来在要求快速传输信息时常采用电光调制器和声光调制器,也有采用磁光调制器、吸收调制器和干涉调制器的。下面简要地介绍二种最常见的光调制器。
  
  电光调制器  利用光波通过电光材料(见光功能材料)时,由于该材料的折射率与施加在它上面的电场强度有关,使出射光波的位相、偏振态等特性发生改变,从而达到调制光束的目的。
  
  如果电光材料折射率改变量与调制电压呈线性关系,所产生的效应就称为线性电光效应或泡克耳斯效应。典型的线性电光材料有磷酸二氢钾 (KDP)类晶体、铌酸锂晶体等。如果电光材料折射率改变量与调制电压二次方成正比,则称为光学克尔效应,典型的这类电光材料有硝基苯、锂铌酸钾等。
  
  附图展示了一种典型的对光振幅进行调制的电光调制器。二块正交安置的偏振片之间插入一块KDP晶体,光的传播方向及电场施加方向都沿晶体的光轴z方向,而晶体的另两个主轴x、y分别平行于起偏器和检偏器的偏振方向。当施加电场E时,由于泡克耳斯效应,使偏振方向为x的入射光波进入晶体后产生双折射:在±45°的两侧分解成两个偏振分量,这两个分量的折射率差Δn 与电场E成线性关系。于是造成两个分量位相上的差异。当光线射出晶体后,合成光波的偏振态发生变化。例如位相差为零时,射出晶体后光波的偏振态仍为x方向,它被检偏器所拦截,使输出光强为零;而当位相差为π 时,出射光波偏振态旋转90°(平行y方向),因而畅通无阻地通过检偏器,使输出光强达到最大。由此可见,改变电场强度E的频率和幅度,即可对输出光的频率、振幅(或光强)进行调制。
  
  声光调制器  声波是一种机械应力波,它在媒质中传播时,由于光弹效应会使媒质折射率产生周期性变化,这种周期性的变化可以看成栅距为声波长的相栅。当光波、声波同时作用在声光媒质中,光波犹如通过一块相栅而产生衍射,衍射光的光强、频率等特性受到声场强度及声频的调制。声光调制器就是基于上述现象(称为声光效应)实现对光束进行调制的光调制器。
  
  电光调制器、声光调制器可以根据特定的条件形成各种类型的、功能各异的光调制器。衡量光调制器性能的主要指标之一是调制带宽。行波型电光调制器带宽已达到109赫。它们的另一种特殊形式是薄膜调制器。由于薄膜调制器体积小,并可将它放在单块基片上和其他微型光学器件相连,从而构成一个小巧紧凑的光学系统,这就使得它在光通信和集成光学中起着重大作用。
  
  还有一种直接调制的方法,即把要传递的信息通过相应的电信号直接加到发光二极管或半导体激光器上,从而发出受调制的光束。这种把发射和调制统一在一个器件中的方法十分经济方便,在光通信等领域获得了广泛的应用。
  

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参考词条