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1)  4H-SiC homoepitaxial layers
4H-SiC同质外延
2)  4H-SiC MESFET
4H-SiC金属外延半导体场效应晶体管
3)  homoepitaxy [,həumi'epitæksi]
同质外延
1.
Defects in 4H-SiC Homoepitaxy CVD Growth;
4H-SiC同质外延中的缺陷
4)  homoepitaxial
同质外延
1.
High quality 4H-SiC homoepitaxial layers were grown on 8° off-axis 〈0001〉 HP-S.
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。
5)  H-SiC
4H-SiC
1.
Fabrication of AlGaN/GaN HEMT Grown on 4H-SiC;
4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制
2.
Fabrication of 4H-SiC Buried-Channel nMOSFETs;
4H-SiC埋沟MOSFET的研制(英文)
3.
Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC;
n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱(英文)
6)  SiC CVD
SiC外延
补充资料:外延
      见晶体生长技术。
  

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