1) InGaN/GaN quantum well
铟镓氮(InGaN)
3) InAlGaN
铟铝镓氮
4) AlInGaN
铝铟镓氮
1.
AlInGaN quaternary alloys were successfully grown on sapphire substrate by radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy(RF-MBE).
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测。
5) InGaN/GaN
氮镓铟/氮化镓
1.
Investigation on Optical Properties of Different Width InGaN/GaN Quantum Well;
不同厚度氮镓铟/氮化镓量子阱的光学特性研究
6) AlGaN/AlInN compound barrier
铝镓氮/铝铟氮复合势垒
补充资料：镓铟磷砷
分子式：
CAS号：
性质： 四元固溶体材料。为单相固溶体。能隙在0.74～1.35eV范围，相应发射波长为0.92～165μm，折射率较低，易于实现载流子限制和光限制。在磷化铟衬底上采用外延生长法制备。大量用于制备1.3～1.6μm波段无色散、低损耗石英光纤通信中光源、量子器件等。
CAS号：
性质： 四元固溶体材料。为单相固溶体。能隙在0.74～1.35eV范围，相应发射波长为0.92～165μm，折射率较低，易于实现载流子限制和光限制。在磷化铟衬底上采用外延生长法制备。大量用于制备1.3～1.6μm波段无色散、低损耗石英光纤通信中光源、量子器件等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条