1) multiferroic films
多铁薄膜
1.
Preparation of Bi_(0.8)La_(0.2)FeO_3/La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3 nano-crystalline multiferroic films
Bi_(0.8)La_(0.2)FeO_3/La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3纳米晶多铁薄膜的制备
2) multilayer ferroelectric thin film
多层铁电薄膜
1.
Structural design and preparation of BIT/PLZT/BIT multilayer ferroelectric thin film;
BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜结构设计及制备的实验研究
3) multiferroic composite films
多铁性复合薄膜
4) BIT/PLZT/BIT multilayer ferroelectric film
BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜
5) ferroelectric film
铁电薄膜
1.
The influence of the surface and interface effects on the polarization distribution in ferroelectric films;
表面和界面效应对铁电薄膜极化分布的影响
2.
Effect of stress on the ferroelectric properties of ferroelectric film;
应力对铁电薄膜电滞回线及蝶形曲线的影响
3.
Separated precursor-monomer for sol-gel preparation PZT ferroelectric film;
Sol-gel独立前驱单体制备PZT铁电薄膜技术
6) ferroelectric thin films
铁电薄膜
1.
The effect of different electrode on the dielectric properties of lanthanum-doped lead titanate ferroelectric thin films;
不同电极形式对掺镧钛酸铅铁电薄膜的介电性能的影响
2.
The preparation and properties of PZT ferroelectric thin films with cobalt and Nb-doping;
Co和Nb掺杂PZT铁电薄膜的制备及性能研究
3.
Effect of heat treat temperature on the microstructure of PbSc_(0.5) Ta_ (0.5)O_3 ferroelectric thin films;
热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条