1) GaAs surface
GaAs表面
2) GaAs surface passivation
GaAs表面钝化
3) Cl/GaAs(lll) surface
Cl/GaAs(111)吸附表面
4) InAs/GaAs surface QDs
InAs/GaAs表面量子点
5) large-area GaAs
大面积GaAs
1.
The influence of the negative electro-affinity(NEA) of the large-area GaAs photocathode on the spectral properties of the low-light-level(LLL) image intensifier was studied.
结合微光管研制,对大面积GaAs与玻璃粘接制备的透射式光电阴极的光谱特性进行在线测试,并对测试结果进行了分析讨论。
6) Heteroface GaAs solar cell
异质面GaAs太阳电池
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条