2) ultra-high vacuum electron evaporation
超高真空电子束蒸发法
3) UNVD
超高真空蒸发
4) high vacuum evaporation
高真空蒸发
5) electron beam evaporation
电子束蒸发
1.
Photoelectrical properties and microstructure of ITO films prepared by electron beam evaporation;
电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究
2.
Characteristic study of nano ZnO films prepared by electron beam evaporation;
电子束蒸发制备纳米ZnO薄膜及其特性研究
3.
Roughness and light scattering properties of ZrO_2 thin films deposited by electron beam evaporation;
电子束蒸发氧化锆薄膜的粗糙度和光散射特性
6) electron-beam evaporation
电子束蒸发
1.
Influence of substrate temperature on properties of ZnS films prepared by electron-beam evaporation
基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响
2.
The Si/Co/Cu/Co multilayers are prepared by the ultra-high vacuum electron-beam evaporation on the Si(100) substrate.
用超高真空电子束蒸发方法在S i(100)衬底上制备了S i/Co/Cu/Co多层膜。
3.
With Al_2O_3 film deposited by electron-beam evaporation as an example, the technique of dielectric film wasintroduced.
以Al_2O_3薄膜为例,介绍了用电子束蒸发制备介质薄膜的工艺。
补充资料：电子束蒸发（electron-beamevaporation）
电子束蒸发（electron-beamevaporation）
电子束蒸发是一种清洁的金属薄膜淀积工艺。由热丝发射的电子经过聚焦、偏转和加速以后形成能量约为10keV的电子束，然后轰击放在有冷却水套的容器中的金属并使之蒸发。蒸发的金属在置于附近的衬底（如硅片）上淀积，从而获得有一定厚度的金属镀层。电子束蒸发具有沾污轻和适用范围广的优点，但不适用于多元合金及易被电子束分解的化合物。铝受电子束轰击激发出的特征X射线会对器件造成损伤。电子束还可能使真空室内残余气体和一部分蒸发的金属原子电离。电子束蒸发在半导体集成电路中的主要应用是引线金属化层的淀积。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条