1) semiconductor microcavity lasers
半导体微腔激光器
2) micro-cavity semiconductor laser
微腔半导体激光器
1.
For micro-cavity semiconductor laser, station model is proposed in this paper and its steady-state and instantaneous characteristics when the coupling efficiency of spontaneous emission into a lasing mode is equal to 1 are analysised.
本文对于微腔半导体激光器，提出站模型，能够较直观简洁地分析微腔半导体激光器的稳态和瞬态特性，利用此模型对具有重要实用价值的β=1的微腔半导体激光器进行了讨论；对于电流I噪声、自发发射寿命τ_(sp)噪声、自发发射因子β噪声、光子寿命τ_p噪声，以及电流调制、τ_(sp)调制、β调制、τ_p调制，在小信号近似下，得到了相应的激光器的传递函数；在大信噪比的前提下，对激光器进行了频域分析，分别计算了它们在不同参数下的信噪比增益，分析了其抗噪声性能。
3) micro-cavity semiconductor lasers
微腔半导体激光器
1.
The current modulation bandwidth of micro-cavity semiconductor lasers versus the active volume is analyzed.
主要讨论了微腔半导体激光器电流调制带宽随有源区体积的变化规律 。
2.
The model gives theoretically direction of numerical simulation and designing micro-cavity semiconductor lasers with good properties.
对于具有大折射率衬比的氧化孔径层的方柱形垂直腔面发射微腔半导体激光器 ,基于Maxwell方程组的矢量解 ,推导了用于计算激光器阈值增益的理论模型 ,为数值模拟和微腔半导体激光器的最佳设计提供了理论依
4) grating external-cavity diode laser
光栅外腔半导体激光器
1.
The response characteristics of grating external-cavity diode laser(ECDL) to direct GHz radio-frequency(RF) modulation of the injection current of the diode laser are experimentally investigated,and the effect of the grating external cavity to the sideband signal of diode laser is analyzed.
研究了光栅外腔半导体激光器(ECDL)对射频频率调制的响应特性,分析了射频频率调制时光栅外腔对半导体激光器的边带信号的影响。
5) ECLD
外腔半导体激光器
1.
Frequency stabilization of 1.53μm FBG ECLD based on C_2H_2 absorption lines;
1.53μm光纤光栅外腔半导体激光器乙炔吸收稳频
2.
C2H2 absorption frequency stabilization of FBG-ECLD monitored and controlled by computer is reported.
报道了基于计算机监控的光纤光栅外腔半导体激光器(FBG-ECLD)乙炔吸收稳频,设计了计算机信号监测和设备控制的平台,实现了在计算机界面上对信号的监测和对稳频控制设备的控制。
3.
The temperature greatly influences the characteristics of external cavity laser diode (ECLD).
温度对于外腔半导体激光器的特性有很大的影响,对其温度进行高精度的控制,是保证外腔半导体激光器输出波长稳定的关键技术之一。
6) external-cavity semiconductor laser
外腔半导体激光器
1.
Research on the dual-wavelength external-cavity semiconductor laser;
双波长外腔半导体激光器的研究
2.
A narrow linewidth external-cavity semiconductor laser;
窄线宽的外腔半导体激光器
3.
According to the technology and theory of grating light valve,an experimental facility structure that can achieve wavelength tuning of external-cavity semiconductor laser has been designed.
根据光栅光阀(GLV)的技术原理,设计了一种实现外腔半导体激光器波长调谐的实验装置,能有效地实现激光输出波束的精密调谐,同时也降低了调谐的机械难度,本文提供的各项性能参数为实现加工提供了一定的参考。
补充资料：气敏半导体(见传感器半导体材料)
气敏半导体(见传感器半导体材料)
gas sensory sernieonduetor
气敏半导体gas sensory Semieonductor见传感器半导体材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条