1) solid phase epitaxy
固相外延
1.
Preparation of Si_(1-x-y)Ge_xC_y semiconductor films on Si by ion implantation and solid phase epitaxy;
离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜
2.
Then the two kinds of samples were implanted with 12C+ ions simultaneously, and Si 1-xC x alloys were grown by solid phase epitaxy with high-temperature annealing.
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si+ 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1 -xCx 合金 ,研究了预注入对Si1 -xCx 合金形成的影响 。
3.
Carbon ions with concentration of (0 6—1 5)% were implanted into silicon crystals at room temperature and Si 1-x C x alloys were grown by solid phase epitaxy with high temperature annealing.
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 ) %的C原子 ,利用高温退火固相外延了Si1-xCx 合金 ,研究了不同注入剂量下Si1-xCx 合金的形成及其特征 。
2) SPER
固相外延
1.
Preparation of Si_(1-x-y)Ge_xC_y Alloy Layers by SPER\+*;
用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料
2.
The strain- compensation characteristics of Si1 - x - y Gex Cy ternary alloys m ade by Solid Phase Epitaxial Recrystal- lization ( SPER) are studied.
研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变补偿情况也不尽相同 。
3) solid phase epitaxial crystallization
固相外延结晶
4) Solid phase epitaxial regrowth
固相外延生长
1.
Solid phase epitaxial regrowth of amorphous silicon formed at 430℃was found if the amorphous silicon layer involved implanted Ni impurity with dose range from 1×10 12 ; to 2.
离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。
5) vapour-liquid-solid epitaxial growth
气-液-固相外延生长法
6) liquid phase epitaxy
液相外延
1.
Fabrication of β-BBO thin films by liquid phase epitaxy technique;
液相外延法制备β-BBO薄膜
2.
Progress in Research on Liquid Phase Epitaxy;
液相外延技术的研究进展
3.
In this paper,the application of liquid phase epitaxy(LPE) technology in the preparation of such materials as silicon,HgCdTe,single-crystal garnet film,III-V semiconductor material,et.
本文介绍了液相外延技术在制备硅材料、碲镉汞材料、石榴石型单晶材料、III-V族半导体材料和其他一些无机材料方面的应用,简述了液相外延技术近十多年来在系统改善、工艺改进和相关理论研究方面的成果,并指出了液相外延技术相对于其他外延技术的优势及其发展需要克服的困难。
补充资料：固相外延
固相外延
solid phase epitaxy
固相外延、sohd Phase即itaxy借助固相反应在单晶衬底上进行外延的方法。简称SPE。由于SPE对研制三维Si结构材料和对单片热电子器件十分重要，并且有望进一步提高超大规模集成电路的集成度，因此已广泛地研究了Si和Ge上离子注入层和非晶层的SPEo此外，SPE工艺因适宜于非晶硅和非晶GaAs的二维生长、选择腐蚀以及避免离子注入的沟导和辐射损伤效应而受到重视，但它的发展不快。 Si的SPE工艺可以分为两种:①不需要金属或化合物层作输运媒质的SPE法。指离子注入后非晶半导体的有序化和再结晶。②需要输运媒质的SPE法。按半导体与金属的反应分成两类。一是共晶体系类，在这类SPE中金属膜与半导体形成简单的共晶体。例如在Si(非晶)/AI/Si体系中形成AI/Si共晶体。用这种方法已生长了Si器件的平面结构并研究了它们的生长动力学。二是化合物体系类。在这类SPE中金属膜与半导体形成化合物。例如在51(非晶)/Pdsi/51体系中由于Pd与Si之间的高反应性，形成PdZSi化合物。这样，消除了Si表面的氧化层，为SPE的均匀成核和生长提供清洁的表面。 与Si相比，化合物半导体的SPE生长开始较晚。虽然已证实，在制备N一GaAs欧姆接触时GaAs(衬底)/M/X体系中因中间金属相M的存在而发生掺杂(或合金)GaAs的固相生长，但真正的GaAs SPE在不久前才见报道。在GaAs衬底上首先沉积45nln厚的A宫，然后在GaAs/Ag体系中溅射110nln厚的GaAs层，并在其上覆盖非晶Ta一si一Ni薄膜。最后将整个体系放在550℃中退火。此时，Ga和As通过Ag层输运到GaAs衬底进行SPE生长。这一情况与Si的第二类SPE机理完全相同。 化合物半导体的SPE已用于在生长起始阶段实现二维生长和消除GaAs/Si和InP/GaAs体系界面的缺陷。对GaAs/Si体系，首先在Si表面沉积一层As，接着在低温下生长a一GaAs层，然后进行SPE。已第一次在Si衬底上获得了连续的GaAs层(20人)，抑制了三维生长，获得了高质量的GaAs外延层。对InP/GaAs体系，可在GaAs衬底上先用分子束外延(MBD法在580℃生长一层厚度为一0 .1八m的GaAs缓冲层，接着在室温时沉积一层a一InP层，然后在45℃进行InP的SPE。已在GaAs衬底表面得出极薄(30一40人)、极平整的InP SPE层，并且在该层上再用MBE生长InP层。这样生长的MBE InP外延层避免了二维生长，获得了高质量的InP/GaAs异质结构材料。(彭瑞伍)
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参考词条