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1)  schottky barrier gate field effect transistor
肖脱基势结型场效应晶体管
2)  esbt
增强型肖特基势垒场效应晶体管
3)  MESFET
金属肖特基势垒场效应晶体管
1.
Intrinsic parameters are extracted from functions of MESFETs intrinsic elements by using extrinsic parameters as independent variables.
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 。
4)  dual gate MESFET
双栅金属-肖特基势垒场效应晶体管
5)  sfet
肖特基势垒栅场效应晶体管
6)  MESFET
肖特基场效应晶体管
补充资料:肖特基势垒(Schottkybarrier)
肖特基势垒(Schottkybarrier)

金属和半导体接触形成半导体表面势垒,此势垒又称肖特基势垒。

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