1) nonlinear auto companding
非线性自动压扩
2) nonlinear companding method
非线性压扩方法
3) nonlinear autonomous vibration
非线性自主振动
1.
On the basis of phase space analysis about measured vibration signals,the characteristics of special nonlinear autonomous vibration about the structure included in the system were obtained.
在实测的振动信号相空间分析的基础上,得到系统所包含的结构振动的特殊非线性自主振动的特征。
4) nonlinear free sloshing
非线性自由晃动
5) non-linear free vibration
非线性自由振动
1.
Planar non-linear free vibration analysis of stay cable considering the effects of flexural rigidity;
考虑抗弯刚度影响的斜拉索面内非线性自由振动分析
6) Nonlinear free vibration
非线性自由振动
1.
The nonlinear free vibration problems of symmetrical laminated skew plates are studied.
分析了具有夹紧或简支边界条件的对称角铺设斜扳的非线性自由振动问题;分别给出了满足各种边界条件的单模式的挠度表达式,并且利用伽辽金法时上述斜板的振动进行单模式分析,进而导出了时间函数的非线性常微分方程——杜芬方程。
2.
Based on the Hamilton principle,the control equations of the nonlinear free vibration on elastic foundation beam under the uniform temperature rise are obtained in this paper and the nonlinear partial differential equations are converted into a set of ordinary ones by using Kantorovich averaging procedure.
基于Hamilton原理,得到了弹性地基粱在均匀升温作用下的非线性自由振动控制方程。
3.
Based on the control equations of the nonlinear free vibration on elastic foundation beam under the uniform temperature rise,the nonlinear partial differential equations are converted into a set of ordinary ones by using Kantorovich averaging procedure.
基于弹性地基梁在均匀升温作用下的非线性自由振动控制方程,运用Kantorovich平均法将非线性偏微分方程转化成一组常微分方程,考虑不可移夹紧边界条件,采用打靶法得到了一阶屈曲位形下的前四阶振型的数值结果。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条