常压化学汽相淀积,CVD,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) CVD

常压化学汽相淀积

2) atmospheric

常压

Study of spectrometric determination of COD by microwave atmospheric digestion;

常压微波消解分光光度法测定COD的研究

An atmospheric evaluation device for sulfur tolerant shift O2 scavenger was set up to study O2 scavenging performances of the scavenger.

介绍耐硫变换脱氧剂常压评价装置的建立,用自建评价装置对耐硫变换脱氧剂进行脱氧性能研究。

The CF2Cl2 (CFC-l2) vapor was atmospherically degraded in non-equilibrium plasma engendered by dielectric barrier discharge.

利用介质阻挡放电（DBD）在常压下产生非平衡态等离子体，实现了气态CF2Cl2（氟利昂－12）的常压降解。

3) atmospheric pressure

常压

Decarbonization disposal of organic industrial exhaust gas by atmospheric pressure microwave plasma jet;

常压微波等离子射流脱碳处理有机工业废气

Theoretical analysis of heat transfer of adsorption fluidization freeze-drying at atmospheric pressure;

常压吸附流化冷冻干燥过程的理论分析

Nylon dyeing using atmospheric pressure plasma technology;

常压等离子体在尼龙染色中的应用

4) normal pressure

常压

Study on synthesis NH_3 at normal pressure by the strong electric field discharge;

强电场放电常压合成NH_3研究

Low temperature normal pressure storage of liquefied petroleum gas (LPG);

液化石油气的低温常压储存

Cleaning technology for sulfate scale in normal temperature and normal pressure;

硫酸盐水垢的常温常压清洗技术

5) ambient pressure

常压

The plasma synthesis ammonia has been studied in nitrogen-hydrogen plasma using a strong ionization discharge at ambient pressure.

　利用介质阻挡强电离放电的物理方法,在常压窄间隙中获得折合场强大于300Td、电子平均能量大于8eV的强电场。

Silica aerogel thin films were prepared at ambient pressure by sol gel technique.

采用溶胶—凝胶工艺在常压下制备了SiO2气凝胶薄膜,并用傅里叶红外光谱仪(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、椭偏光谱仪等表征了薄膜的结构和性能。

27 have been prepared at ambient pressure by a sol-gel technique.

以正硅酸乙酯(TEOS)为有机醇盐前驱体,采用溶胶-凝胶技术,通过酸/碱二步法控制实验条件,结合低表面张力溶剂替换以及甲基非活性基团置换修饰、超声振荡等,在常压下成功地制备出折射率在1。

6) atmosphere pressure

常压

Function of methyl methacrylate to polyester dyeing under atmosphere pressure and its mechanism;

甲基丙烯酸甲酯在涤纶常压染色中的作用及其机理

参考词条

常压储罐常压重油常温常压常压合成常压烧结常压氨灌常压干燥正常压力常压贮藏低温常压常压蒸馏常压染色云南分离物文化场

补充资料：化学汽相淀积工艺

　　用气态反应原料在固态基体表面反应并淀积成固体薄层或薄膜的工艺过程，类似于汽相外延工艺（见外延生长）。60年代，随着集成电路平面技术的发展，化学汽相淀积工艺受到重视而得到迅速发展。当时主要是常压下的化学汽相淀积，称为常压化学汽相淀积工艺。70年代后期，低压化学汽相淀积工艺取得显著进展，在集成电路制造工艺中发挥了更大的作用。在应用低压化学汽相工艺的同时，等离子化学汽相淀积工艺和金属有机化学汽相淀积工艺也得到迅速发展。
　　
　　化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜（如多晶硅、非晶硅）或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀，可形成各种电路图案，与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下：
　　SiH₄─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H₂
　　SiH₄+4N₂O─→SiO₂+2H₂O+4N₂
　　SiH₄+2O₂─→SiO₂+2H₂O
　　3SiH₄+4NH₃─→Si₃N₄+12H₂
　　3SiH₂Cl₂+10NH₃─→Si₃N₄+6NH₄Cl+6H₂
　　SiH₄+2xPH₃+2(2x+1)O₂─→
　　
　　
　　
　　 SiO₂·xP₂O₅(磷硅玻璃)+(3x+2)H₂O
　　
　　化学汽相淀积工艺还可用于其他方面，如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb₃Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO₂·xGeO₂)，以及装饰性薄膜氮化钛等。
　　3NbCl₄+GeCl₄+8H₂─→Nb₃Ge+16HCl
　　4Fe(CO)₅+3O₂─→2Fe₂O₃+20CO
　　
　　与物理汽相淀积薄膜工艺（如蒸发、溅射、离子镀等）相比，化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点，化学汽相淀积工艺，也可用于制造体材料，例如，高纯三氯硅烷用氢还原，在加热的硅棒上不断淀积出硅，使硅棒变粗，形成棒状高纯硅锭，成为制备半导体硅单晶的原料。
　　
　　常压化学汽相淀积　图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。
　　
　　
　　低压化学汽相淀积　图2是低压化学汽相淀积装置原理，采用管式电阻炉加热，在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压（约50帕）下工作，气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上，扩散过程加快，片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100～200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中，可淀积多种薄膜，应用很广。
　　
　　
　　等离子化学汽相淀积　利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电，形成非平衡等离子体，其中能量较高的电子撞击反应气体分子，促使反应在较低温度下进行，淀积成薄膜（图3）。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性。
　　
　　
　　金属有机化学汽相淀积　以金属有机化合物为原料，淀积成多层金属化合物薄层或薄膜，主要用于化合物半导体的汽相外延层生长，以制造微波和光通信器件。例如，三甲基镓和砷烷在氢气中反应，可以在砷化镓单晶衬底或氧化铝单晶衬底上形成新的砷化镓外延薄层。以三乙基锢、三乙基铝、三甲基镓、以及磷烷、砷烷为原料,可以生成GaAlAs、GaInAsP和GaInAs等多种外延材料。利用多层外延结构材料，可以制造半导体激光器等。
　　
　　

参考书目
　　　Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960～1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) CVD 常压化学汽相淀积 2) atmospheric 常压 1. Study of spectrometric determination of COD by microwave atmospheric digestion; 常压微波消解分光光度法测定COD的研究 2. An atmospheric evaluation device for sulfur tolerant shift O2 scavenger was set up to study O2 scavenging performances of the scavenger. 介绍耐硫变换脱氧剂常压评价装置的建立,用自建评价装置对耐硫变换脱氧剂进行脱氧性能研究。 3. The CF2Cl2 (CFC-l2) vapor was atmospherically degraded in non-equilibrium plasma engendered by dielectric barrier discharge. 利用介质阻挡放电（DBD）在常压下产生非平衡态等离子体，实现了气态CF2Cl2（氟利昂－12）的常压降解。 3) atmospheric pressure 常压 1. Decarbonization disposal of organic industrial exhaust gas by atmospheric pressure microwave plasma jet; 常压微波等离子射流脱碳处理有机工业废气 2. Theoretical analysis of heat transfer of adsorption fluidization freeze-drying at atmospheric pressure; 常压吸附流化冷冻干燥过程的理论分析 3. Nylon dyeing using atmospheric pressure plasma technology; 常压等离子体在尼龙染色中的应用 4) normal pressure 常压 1. Study on synthesis NH_3 at normal pressure by the strong electric field discharge; 强电场放电常压合成NH_3研究 2. Low temperature normal pressure storage of liquefied petroleum gas (LPG); 液化石油气的低温常压储存 3. Cleaning technology for sulfate scale in normal temperature and normal pressure; 硫酸盐水垢的常温常压清洗技术 5) ambient pressure 常压 1. The plasma synthesis ammonia has been studied in nitrogen-hydrogen plasma using a strong ionization discharge at ambient pressure. 　利用介质阻挡强电离放电的物理方法,在常压窄间隙中获得折合场强大于300Td、电子平均能量大于8eV的强电场。 2. Silica aerogel thin films were prepared at ambient pressure by sol gel technique. 采用溶胶—凝胶工艺在常压下制备了SiO2气凝胶薄膜,并用傅里叶红外光谱仪(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、椭偏光谱仪等表征了薄膜的结构和性能。 3. 27 have been prepared at ambient pressure by a sol-gel technique. 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机醇盐前驱体,采用溶胶-凝胶技术,通过酸/碱二步法控制实验条件,结合低表面张力溶剂替换以及甲基非活性基团置换修饰、超声振荡等,在常压下成功地制备出折射率在1。 6) atmosphere pressure 常压 1. Function of methyl methacrylate to polyester dyeing under atmosphere pressure and its mechanism; 甲基丙烯酸甲酯在涤纶常压染色中的作用及其机理参考词条常压储罐常压重油常温常压常压合成常压烧结常压氨灌常压干燥正常压力常压贮藏低温常压常压蒸馏常压染色云南分离物文化场补充资料：化学汽相淀积工艺　　用气态反应原料在固态基体表面反应并淀积成固体薄层或薄膜的工艺过程，类似于汽相外延工艺（见外延生长）。60年代，随着集成电路平面技术的发展，化学汽相淀积工艺受到重视而得到迅速发展。当时主要是常压下的化学汽相淀积，称为常压化学汽相淀积工艺。70年代后期，低压化学汽相淀积工艺取得显著进展，在集成电路制造工艺中发挥了更大的作用。在应用低压化学汽相工艺的同时，等离子化学汽相淀积工艺和金属有机化学汽相淀积工艺也得到迅速发展。　　　　化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜（如多晶硅、非晶硅）或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀，可形成各种电路图案，与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下：　　SiH₄─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H₂ 　　SiH₄+4N₂O─→SiO₂+2H₂O+4N₂ 　　SiH₄+2O₂─→SiO₂+2H₂O 　　3SiH₄+4NH₃─→Si₃N₄+12H₂ 　　3SiH₂Cl₂+10NH₃─→Si₃N₄+6NH₄Cl+6H₂ 　　SiH₄+2xPH₃+2(2x+1)O₂─→ 　　　　　　　　 SiO₂·xP₂O₅(磷硅玻璃)+(3x+2)H₂O 　　　　化学汽相淀积工艺还可用于其他方面，如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb₃Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO₂·xGeO₂)，以及装饰性薄膜氮化钛等。　　3NbCl₄+GeCl₄+8H₂─→Nb₃Ge+16HCl 　　4Fe(CO)₅+3O₂─→2Fe₂O₃+20CO 　　　　与物理汽相淀积薄膜工艺（如蒸发、溅射、离子镀等）相比，化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点，化学汽相淀积工艺，也可用于制造体材料，例如，高纯三氯硅烷用氢还原，在加热的硅棒上不断淀积出硅，使硅棒变粗，形成棒状高纯硅锭，成为制备半导体硅单晶的原料。　　　　常压化学汽相淀积　图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。　　　　　　低压化学汽相淀积　图2是低压化学汽相淀积装置原理，采用管式电阻炉加热，在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压（约50帕）下工作，气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上，扩散过程加快，片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100～200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中，可淀积多种薄膜，应用很广。　　　　　　等离子化学汽相淀积　利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电，形成非平衡等离子体，其中能量较高的电子撞击反应气体分子，促使反应在较低温度下进行，淀积成薄膜（图3）。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性。　　　　　　金属有机化学汽相淀积　以金属有机化合物为原料，淀积成多层金属化合物薄层或薄膜，主要用于化合物半导体的汽相外延层生长，以制造微波和光通信器件。例如，三甲基镓和砷烷在氢气中反应，可以在砷化镓单晶衬底或氧化铝单晶衬底上形成新的砷化镓外延薄层。以三乙基锢、三乙基铝、三甲基镓、以及磷烷、砷烷为原料,可以生成GaAlAs、GaInAsP和GaInAs等多种外延材料。利用多层外延结构材料，可以制造半导体激光器等。　　　　参考书目　　　Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960～1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981. 　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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