1) ESD Protection
ESD 保护
1.
This paper presents the complex interactions between the ESD protection network and the core circuit being protected,and RF ESD evaluating technologies,to provide ESD designers with a reference in RF ESD protection design.
本文总结了射频集成电路 ESD 保护网络与核心电路之间复杂的相互作用以及可能造成的各种现象如 ESD 保护网络误触发、ESD 保护结构引起的 dV/dt 触发辅助效应和噪声效应,讨论了射频 ESD 的评估技术以及 ESD 保护结构设计应注意的问题。
2.
This paper presents some new ESD protection structures for RF ICs,including dual-direction and all-mode ESD protection structures,and key aspects on ESD protection design are discussed.
本文介绍了几种新颖的低寄生、紧缩型、多模式射频集成电路 ESD 保护结构,讨论了其工作原理及设计中应注意的问题。
3.
Therefore,the ESD protection of CMOS devices becomes not only so important but also more difficult.
因此,CMOS 器件的 ESD 保护变得既重要,又更加困难。
2) ESD protection
ESD保护
1.
6μm BiCMOS process, because of the different internal base resistance, CEB, CEBE structures have better SNAPNACK effect and a high ESD protection efficiency than CBE, CBEB structures.
6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。
2.
The key problem originates from the complex interaction between the ESD protection circuitry and the core RF IC circuit under protection.
产生这一挑战的关键原因在于ESD保护电路和被保护的RF IC核电路之间存在着不可避免的复杂交互影响效应。
3.
In this thesis work, some CMOS on-chip ESD protections are investigated.
本论文主要研究了CMOS工艺中,集成电路片内ESD保护电路的设计。
3) ESD
ESD保护
1.
Four modules are included in the SPDT analog switch, for example, MOS switch circuit, driver circuit, buffer circuit, and ESD protection circuit.
单刀双掷模拟开关电路的设计包括四个模块:MOS开关电路、驱动电路、缓冲电路和ESD保护电路。
2.
This paper describes the layout of TFT-LCD drive chip ESD protection.
描述了TFT_LCD驱动芯片静电放电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片输入和输出引脚的ESD保护电路。
3.
This paper describes the layout of TFT_LCD driver IC\'s ESD protection.
文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路。
4) ESD protection circuit
ESD保护电路
1.
The ESD failure modes,failure mechanism and ESD protection circuit are mainly reviewed in the paper.
重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电
2.
An ESD protection circuit for IC cards is described,which is based on CMOS process.
讨论了一些重要的设计参数对 ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释。
3.
And an all-chip ESD protection circuit structure for a mixed signal IC was constructed,in which a diode forward biased discharge mode was used to achieve sufficient ESD robustness at small parasitic capacitance.
从电路设计的角度,介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路。
6) On-chip ESD protection circuit
片内ESD保护电路
补充资料：材料保护 :电化学保护
通过改变极性或移动金属的阳极极化电位达到钝态区来抑制或降低金属结构腐蚀的材料保护技术。从伽法尼电池的两个金属电极来观察﹐腐蚀总是发生在阳极上。阴极保护就是在潮湿的土壤或含有电解质(如盐等)的水液等电解液中﹐利用牺牲阳极(如锌﹑铝等)或外加电流的惰性阳极﹐使被保护的钢铁结构成为这种人为的伽法尼电池中的阴极。在同一腐蚀环境中﹐活性较大的是阳极﹐较小的是阴极﹐例如在海水中﹐锌与低碳钢间如构成电解电池﹐锌就是阳极﹐钢就是阴极﹔但如果钢与不锈钢形成电解电池时﹐钢又变为阳极﹐不锈钢是阴极。所谓阴极﹐实际上是使电解液中的阳离子获得电子而还原的一个电极。因此﹐利用外加直流电源使它获得电子补充﹐也属於阴极保护方法。在不同的腐蚀介质中所需的保护电流密度不一。钢在土壤内﹐约为 0.0001～0.005安/分米3﹐在流动海水中约为0.0003～0.0015安/分米3﹐而在流动淡水中为0.005安/分米3 。阴极保护广泛用於保护地下管道﹑通信或电力电缆﹑闸门﹑船舶和海上平台等以及与土壤或海水等接触面积很大的工件﹐电化学保护与涂装结合则更为经济。城市和大型工厂的地下金属设备可採用这种保护方法﹐但需要注意杂散电流不致影响邻近地下金属设施的加速腐蚀。阳极保护主要用於保护钢﹑不锈钢和鈦等在浓硫酸和磷酸等强介质中的腐蚀。活性-钝性金属在阳极极化时﹐即电流导入而產生电位变化时﹐其极化曲线中有显著的活化﹑钝化和过钝化区(见图 阳极保护原理的极化曲线
)﹐对於这种情况﹐可利用稳压电源将电位控制在钝化区间﹐使腐蚀电流值降到最低限度。
)﹐对於这种情况﹐可利用稳压电源将电位控制在钝化区间﹐使腐蚀电流值降到最低限度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条