1) Ti-SALICIDE using Ge preamorphization
注Ge硅化物
2) Ge pre-am orphization
Ge预非晶化硅化物
3) Ge implantation
注Ge
4) silicon hydride
硅氢化物
5) silicides
硅化物
1.
Study of transition metal silicides thin film epitaxial growth on silicon substrate;
硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究
2.
Precipitation behavior of silicides in Ti-B19 titanium alloy during solution and aging;
Ti-B19合金固溶时效过程中硅化物的析出行为
3.
The thickness of silicides embedded in (100) silicon substrate is at a depth of 25 nm.
利用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｆｅ离子注入到Ｓｉ基体中会生成一层铁硅化物薄膜。
6) silicide
[英]['silisaid] [美]['sɪlɪ,saɪd]
硅化物
1.
Morphology and structure of silicide coating on carbon-carbon composites;
C/C复合材料硅化物涂层形貌及结构
2.
Effect of carbon on silicide precipitates during ageing of Ti-60 titanium alloy;
碳含量对Ti-60合金时效过程中硅化物的影响
3.
Precipitation mechanism of silicide in BT25y titanium alloy in solution treatment and thermal exposure;
BT25y高温钛合金固溶处理及热暴露过程中硅化物的析出机制
补充资料：硅化物陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：硅和钼、钨、钽等难熔硅化物为主要成分的陶瓷。按结构特征可分为两类：一类是具有金属结构的相，硅原子置换金属原子时晶格类型不变。另一类是复杂结构的硅化物。一般硅与金属形成的化合物熔点低、硬度低，在高温下易发生蠕变。只有钼、钨、钽的硅化物熔点超过2000℃，并具有优良的高温抗氧化性能。可采用钼、钨、钽金属与硅直接化合法、上述金属氧化物的碳还原法、铝热还原法和气相沉积法等制取钼、钨、钽的硅化物粉末。然后按特种陶瓷工艺在氮气等保护气氛下烧结成陶瓷制品。主要用作高温电热元件、热交换器和某些高温零部件。
CAS号：
性质：硅和钼、钨、钽等难熔硅化物为主要成分的陶瓷。按结构特征可分为两类：一类是具有金属结构的相，硅原子置换金属原子时晶格类型不变。另一类是复杂结构的硅化物。一般硅与金属形成的化合物熔点低、硬度低，在高温下易发生蠕变。只有钼、钨、钽的硅化物熔点超过2000℃，并具有优良的高温抗氧化性能。可采用钼、钨、钽金属与硅直接化合法、上述金属氧化物的碳还原法、铝热还原法和气相沉积法等制取钼、钨、钽的硅化物粉末。然后按特种陶瓷工艺在氮气等保护气氛下烧结成陶瓷制品。主要用作高温电热元件、热交换器和某些高温零部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条