1) hot carrier stress
热载流子应力
1.
This technique can be applied to virgin samples and those subjected to hot carrier stress,and the latter are known to cause the interface damage in the drain region and the channel region.
这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用 。
2) channel hot carrier stress
沟道热载流子应力
3) drain avalanche hot carrier stress
漏雪崩热载流子应力
4) hot carrier effect
热载流子效应
1.
The simulation and analysis of hot carrier effect in LDD MOS;
LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析
2.
Hot Carrier Effect of NMOSFET with Different Gate Oxide Thickness;
不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应
3.
Low temperature hot carrier effects of N 2O nitrided (N 2ON) n MOSFET’s are investigated under the stresses of both maximum substrate current ( I B max ) and gate current ( I G max ) as compared to those of thermal oxidized (OX) n MOSFET’s.
通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 比较，调查了Ｎ２ Ｏ氮化 （Ｎ２ＯＮ） ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 在最大衬底电流ＩＢ ｍ ａｘ和最大栅电流ＩＧ ｍ ａｘ 应力下的低温热载流子效应。
5) hot-carrier effect
热载流子效应
1.
The failure experiments of the P-LDMOS (lateral double diffused metal oxide semiconductor) demonstrate that the high peak electrical fields in the channel region of high-voltage P-LDMOS will reinforce the hot-carrier effect,which can greatly reduce the reliability of the P-LDMOS.
高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应,从而将降低高压P-LDMOS的可靠性。
2.
The hot-carrier effect becomes to have a significant impact on the MOSFETs with size in deep sub-micron and ultra-deep sub-micron region.
本文通过理论分析和计算机数值模拟围绕深亚、超深亚微米nMOSFET器件热载流子产生机理,热载流子引起的器件特性退化等问题,对小尺度nMOSFET的热载流子效应进行了系统的研究。
3.
Hot-carrier effec
论文主要研究了双轴应变硅CMOS器件的自热效应和热载流子效应。
6) hot-carrier effects
热载流子效应
1.
Finally, based on the devicestructures and operaton conditions, design considerations are proposed to supress low-temperature hot-carrier effects.
本文简要研究了这种效应，包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响，最后，从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。
2.
SOI groove gate MOS devices, which constrain the Short-channel effects and resist the Hot-carrier effects effectively in Sub-micron field, compensate the defect of bad driving capability and sub-threshold characteristics in Bulk Groove gate devices.
SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力。
3.
The impact of hot-carrier effects on circuit performance is also discussed on the basis of mechanisms of hot carriers induced failure.
对深亚微米器件中热载流子效应 (HCE)进行了研究 。
补充资料：半导体中的热载流子
在强电场作用下，半导体中载流子的平均动能显著超过热平衡载流子的平均动能。这种被显著加热了的载流子称为热载流子。有关现象通常称热电子现象。
在电场中，载流子一方面从电场获得能量，另一方面通过碰撞把所获得的能量传递给点阵。在稳态下，载流子由电场获得能量的速率应等于把能量传递给点阵的速率。显然，只有在载流子的平均动能超过其热平衡平均动能时，后者才不为零；而且超过得愈多，后者就愈大。所以在电场下载流子的平均动能应比在热平衡下的平均动能（等于点阵的平均动能）高；电场愈强，从电场获得能量的速率愈大，载流子平均动能就愈高。电场很强时，载流子的平均动能可以很显著地超过热平衡时的平均动能。如果载流子之间有较强的相互作用，载流子自身可看作是一个相对独立的准平衡的系统，则载流子的能量分布仍具有和热平衡分布相类似的形式，只是分布函数中的温度应换为一个高于点阵温度T 的Te，Te可称为载流子温度。但是，实际上强电场下载流子的能量分布可能与热平衡分布函数有较大区别。
由于有高的能量，热载流子的行为不同于以至显著不同于处于热平衡的载流子。例如高能量的载流子受到电离杂质的散射很弱，但声频波和光频波对它们的散射作用却更强，这会导致迁移率的下降以至漂移速度的饱和；能量足够高的热载流子可以转移到能量更高的非等价能谷中，引起所谓转移电子效应（见转移电子器件）；能量足够高的载流子可以引起各种类型的碰撞电离（见半导体中的雪崩倍增效应）；在多谷带的情形下，相对诸等价能谷不对称取向的电场可使各等价谷中的电子受到不同程度的加热,引起等价谷之间的电子转移,从而导致迁移率的各向异性；与热平衡的自由载流子相比，热载流子的光吸收也要发生变化等等。
强电场下载流子的漂移速度 vd和电场强度E的关系有如下规律：一般在较强电场下，vd近似正比于E??,而在更强的电场下，由于光频声子散射的限制，vd接近于一个与电场无关的恒定值。在短沟道场效应器件中必须考虑与热载流子相联系的上述非线性输运现象。
在过剩载流子的寿命和能量弛豫时间相近或比它更短的情形下，热载流子也可以通过光激发产生。
在电场中，载流子一方面从电场获得能量，另一方面通过碰撞把所获得的能量传递给点阵。在稳态下，载流子由电场获得能量的速率应等于把能量传递给点阵的速率。显然，只有在载流子的平均动能超过其热平衡平均动能时，后者才不为零；而且超过得愈多，后者就愈大。所以在电场下载流子的平均动能应比在热平衡下的平均动能（等于点阵的平均动能）高；电场愈强，从电场获得能量的速率愈大，载流子平均动能就愈高。电场很强时，载流子的平均动能可以很显著地超过热平衡时的平均动能。如果载流子之间有较强的相互作用，载流子自身可看作是一个相对独立的准平衡的系统，则载流子的能量分布仍具有和热平衡分布相类似的形式，只是分布函数中的温度应换为一个高于点阵温度T 的Te，Te可称为载流子温度。但是，实际上强电场下载流子的能量分布可能与热平衡分布函数有较大区别。
由于有高的能量，热载流子的行为不同于以至显著不同于处于热平衡的载流子。例如高能量的载流子受到电离杂质的散射很弱，但声频波和光频波对它们的散射作用却更强，这会导致迁移率的下降以至漂移速度的饱和；能量足够高的热载流子可以转移到能量更高的非等价能谷中，引起所谓转移电子效应（见转移电子器件）；能量足够高的载流子可以引起各种类型的碰撞电离（见半导体中的雪崩倍增效应）；在多谷带的情形下，相对诸等价能谷不对称取向的电场可使各等价谷中的电子受到不同程度的加热,引起等价谷之间的电子转移,从而导致迁移率的各向异性；与热平衡的自由载流子相比，热载流子的光吸收也要发生变化等等。
强电场下载流子的漂移速度 vd和电场强度E的关系有如下规律：一般在较强电场下，vd近似正比于E??,而在更强的电场下，由于光频声子散射的限制，vd接近于一个与电场无关的恒定值。在短沟道场效应器件中必须考虑与热载流子相联系的上述非线性输运现象。
在过剩载流子的寿命和能量弛豫时间相近或比它更短的情形下，热载流子也可以通过光激发产生。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条