1) separation by implanted oxygen(SIMOX)
注入氧隔离(SIMOX)
2) As-implanted SIMOX
原始注入的SIMOX
3) SIMOX
注氧隔离
1.
Silicon ion implantations was used to improve SIMOX SOI substrate.
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。
2.
Silicon ion implantion was used to improve SIMOX substrate.
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Coγ射线总剂量辐照试验。
3.
The effect of total-dose irradiation with a 10keV X-ray source on separation by implanted oxygen(SIMOX)SOI MOSFET was studied.
研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。
4) SIMQX
注氧隔离SOI
5) oxygen ion implantation
氧离子注入
1.
The roles of oxygen ion implantation on the microstructure and mechanical properties of diamond films
氧离子注入对金刚石薄膜微结构和力学性能的影响
6) separated by implanting oxygen a nd nitrogen
氮氧共注隔离
补充资料：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
CAS：36366-93-5
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
分子式：C14H22O5
中文名称：2-[2-[2-(2-苯氧乙氧基]乙氧基]乙氧基]乙醇
英文名称：Ethanol,2-[2-[2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]
2-(2-(2-(2-phenoxyethoxy)ethoxy)ethoxy)-ethanol
tetraethylene glycol monophenyl ether
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条