补充资料：化合物半导体材料

化合物半导体材料
compound semiconductor materials

　　huohewU匕ondoot}eo}】}00化合物半导体材料(eompound Semieonduetormaterials)具有半导体性质的化合物。这类半导体材料种类很多。班族元素硼、铝、稼、锢和v族元素氮、磷、砷、锑可组成16种二元l一V族化合物半导体，为闪锌矿型或纤维锌矿型结构。兀族元素锌、福、汞、W族元素铅和砚族元素硫、硒、啼组成12种I一VI和W一M族化合物半导体，含有二种同族元素的三元或四元系化合物半导体其组合数更多。镶系四种卜v族化合物中砷化稼、磷化稼获得广泛的应用，室温下，砷化嫁的禁带宽度Eg为1.42eV，电子迁移率比硅大数倍，为直接带隙半导体，很受重视。磷化嫁的Eg为2.26eV，为间接带隙半导体，用于可见光发光材料。锢系除氮化锢外，锑化锢和砷化锢的电子迁移率大，可作霍耳器件。锑化锢的Eg为。.18eV，可用于红外光电器件。正积极进行的磷化锢研究，是四元系长波长激光器衬底材料。三元、四元化合物较成熟的有GaAsP、AIGaAs、GalnP、InAoP、InGaAsP、AIGaAssb等。卜叨族化合物属六方或立方晶系，为直接带隙半导体，用于发光、激光、红外器件。硫化铅、硒化铅、啼化铅均为氯化钠型结构，为直接带隙半导体，为光电、热电材料。三元化合物HgCdTe、PbsnTe是很受重视的红外光电材料。此外，I一v族、卜VI族、卜W族、兀一V族、皿一班族、其他W一W族、V一vI族以及卜卜叨族、l一V一班族、卜l一vI族、卜IV一v族等三元化合物有许多都是半导体材料。另外，许多金属氧化物也属半导体材料。
　　

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