2) Bulk Compound Semiconductor
体化合物半导体
3) compound semiconductor
化合物半导体
1.
The research status.of the compound semiconductor/SiO_2 nanocomposite thin films;
化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状
2.
The decade of the compound semiconductor;
化合物半导体的辉煌十年
3.
The paper reviewed how the fast growing information technology pushes forword the market of the compound semiconductors, especially the market of the microstructue materials.
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场 ,特别是对分子束外延材料市场的推动。
4) compound semiconductors
化合物半导体InGaAsP
5) compound semi-conductor
化合物半导体<冶>
6) ii vi compound semiconductor
旋化合物半导体
补充资料：化合物半导体材料
化合物半导体材料
compound semiconductor materials
huohewU匕ondoot}eo}】}00化合物半导体材料(eompound Semieonduetormaterials)具有半导体性质的化合物。这类半导体材料种类很多。班族元素硼、铝、稼、锢和v族元素氮、磷、砷、锑可组成16种二元l一V族化合物半导体，为闪锌矿型或纤维锌矿型结构。兀族元素锌、福、汞、W族元素铅和砚族元素硫、硒、啼组成12种I一VI和W一M族化合物半导体，含有二种同族元素的三元或四元系化合物半导体其组合数更多。镶系四种卜v族化合物中砷化稼、磷化稼获得广泛的应用，室温下，砷化嫁的禁带宽度Eg为1.42eV，电子迁移率比硅大数倍，为直接带隙半导体，很受重视。磷化嫁的Eg为2.26eV，为间接带隙半导体，用于可见光发光材料。锢系除氮化锢外，锑化锢和砷化锢的电子迁移率大，可作霍耳器件。锑化锢的Eg为。.18eV，可用于红外光电器件。正积极进行的磷化锢研究，是四元系长波长激光器衬底材料。三元、四元化合物较成熟的有GaAsP、AIGaAs、GalnP、InAoP、InGaAsP、AIGaAssb等。卜叨族化合物属六方或立方晶系，为直接带隙半导体，用于发光、激光、红外器件。硫化铅、硒化铅、啼化铅均为氯化钠型结构，为直接带隙半导体，为光电、热电材料。三元化合物HgCdTe、PbsnTe是很受重视的红外光电材料。此外，I一v族、卜VI族、卜W族、兀一V族、皿一班族、其他W一W族、V一vI族以及卜卜叨族、l一V一班族、卜l一vI族、卜IV一v族等三元化合物有许多都是半导体材料。另外，许多金属氧化物也属半导体材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条