1) gate insulator traps
栅绝缘膜陷阱
2) surface energy of gate insulator
栅绝缘膜表面能
3) bamboo (stake) trap
竹栅陷阱
4) insulted gate control
绝缘栅控
5) gate insulator layer
栅绝缘层
1.
Silicon nitride thin film is mainly used for inner insulator film, the gate insulator layer of field effect transistor (or thin film transistor), the charge storage layer of random memory, sensitivity film, passivation layer, ion stopped layer and encapsulation materials etc.
前人做的工作大多也都是经验性的,至今人们对PECVD 氮化硅薄膜的研究还很不成熟,尚处于研究探索的阶段,从而在理论上有必要对PECVD 法氮化硅薄膜做进一步的研究;与此同时,制备高质量的栅绝缘层用氮化硅薄膜也是制备高性能薄膜晶体管(TFT)这一课题的需要。
6) insulated gate electrode
绝缘栅极
补充资料：绝缘膜
分子式：
CAS号：
性质： 能够保证良好电绝缘性的薄膜。这种薄膜应当具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。无机绝缘体通常称为电介质，常用的有氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝；常用的有机绝缘膜材料有聚酰亚胺、聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯。不论是无机还是有机绝缘体，一般都具有在外电场作用下极化的能力。用作电绝缘膜时，希望其介电常数低，以减少介质损耗。
CAS号：
性质： 能够保证良好电绝缘性的薄膜。这种薄膜应当具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。无机绝缘体通常称为电介质，常用的有氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝；常用的有机绝缘膜材料有聚酰亚胺、聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯。不论是无机还是有机绝缘体，一般都具有在外电场作用下极化的能力。用作电绝缘膜时，希望其介电常数低，以减少介质损耗。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条