1) insulating film
绝缘膜
1.
Microstructure and in-situ growth process of insulating films on TiNi shape memory alloys;
TiNi形状记忆合金表面绝缘膜的原位生长过程和相结构
2.
In this work,the possibility of forming in situ insulating film on Fe Cr Al electrical heating alloy was discussed.
探讨了在 Fe- Cr- Al电热合金表面液浸原位生成绝缘膜的可能性 ,研究了在 0 Cr2 5Al5电热合金材料表面原位生成绝缘膜的形貌结构及其动力学生长规律。
3.
Properties of Al2O3 filmsand applications of the insulating films to magnetic head lamination were investigated.
利用低温等离子复合技术在坡莫合金等软磁材料表面淀积Ａ１２Ｏ３膜，对其性能进行测试，并研究了在磁头芯片表面形成优良的绝缘膜的应用情况。
4) insulating film
绝缘膜<冶>
5) Ta2O5 dielectric films
Ta2O5绝缘膜
1.
The resisitant breakdown voltage is strong as oxidation voltage is between 125 and 150V in which Ta2O5 dielectric films are fabricated.
利用XRD、EDS和AFM分析薄膜的组织结构和表面形貌,超高阻微电流测试仪测试Ta2O5绝缘膜漏电流特性和耐击穿电压,结果表明,磷酸电解液中添加适当乙二醇溶液能有效地防止"晶化",阳极氧化电压在125～150V范围内制备Ta2O5绝缘膜耐击穿电压能力强,经350℃/60min大气气氛下热处理Ta2O5薄膜,内部结构致密,能有效提高Ta2O5绝缘膜耐击穿电压。
6) barrier film
绝缘性软膜
补充资料：绝缘膜
分子式：
CAS号：
性质： 能够保证良好电绝缘性的薄膜。这种薄膜应当具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。无机绝缘体通常称为电介质，常用的有氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝；常用的有机绝缘膜材料有聚酰亚胺、聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯。不论是无机还是有机绝缘体，一般都具有在外电场作用下极化的能力。用作电绝缘膜时，希望其介电常数低，以减少介质损耗。
CAS号：
性质： 能够保证良好电绝缘性的薄膜。这种薄膜应当具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。无机绝缘体通常称为电介质，常用的有氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝；常用的有机绝缘膜材料有聚酰亚胺、聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯。不论是无机还是有机绝缘体，一般都具有在外电场作用下极化的能力。用作电绝缘膜时，希望其介电常数低，以减少介质损耗。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条