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1)  Ta2O5 dielectric films
Ta2O5绝缘膜
1.
The resisitant breakdown voltage is strong as oxidation voltage is between 125 and 150V in which Ta2O5 dielectric films are fabricated.
利用XRD、EDS和AFM分析薄膜的组织结构和表面形貌,超高阻微电流测试仪测试Ta2O5绝缘膜漏电流特性和耐击穿电压,结果表明,磷酸电解液中添加适当乙二醇溶液能有效地防止"晶化",阳极氧化电压在125~150V范围内制备Ta2O5绝缘膜耐击穿电压能力强,经350℃/60min大气气氛下热处理Ta2O5薄膜,内部结构致密,能有效提高Ta2O5绝缘膜耐击穿电压。
2)  Ta_2O_5 dielectric film
Ta2O5介质膜
1.
Forming process of anodic Ta_2O_5 dielectric film of wet tantalum electrolytic capacitors was analyzed,and the microprocess of electrolyte sparking and the oxide film breakdown were studied.
叙述了钽电解电容器阳极Ta2O5介质膜的形成过程,分析了电解液闪火与氧化膜击穿的微观过程。
3)  Ta2O5 film
Ta2O5薄膜
4)  insulating film
绝缘膜
1.
Microstructure and in-situ growth process of insulating films on TiNi shape memory alloys;
TiNi形状记忆合金表面绝缘膜的原位生长过程和相结构
2.
In this work,the possibility of forming in situ insulating film on Fe Cr Al electrical heating alloy was discussed.
探讨了在 Fe- Cr- Al电热合金表面液浸原位生成绝缘膜的可能性 ,研究了在 0 Cr2 5Al5电热合金材料表面原位生成绝缘膜的形貌结构及其动力学生长规律。
3.
Properties of Al2O3 filmsand applications of the insulating films to magnetic head lamination were investigated.
利用低温等离子复合技术在坡莫合金等软磁材料表面淀积A12O3膜,对其性能进行测试,并研究了在磁头芯片表面形成优良的绝缘膜的应用情况。
5)  insulated film
绝缘薄膜
6)  insulator film
绝缘膜
补充资料:Ta

钽的元素符号

原子序数: 73

相对原子质量:(12c = 12.0000)

发现人:1802年由ag ekeberg (瑞典,乌普萨拉)发现。

来源:主要存在于钽铁矿中,同铌共生。

用途:用于金属合金。五氧化钽用于电容器。钽也用于切削工具,真空灯丝,照相机镜头。

钽的质地十分坚硬,硬度可以达到6-6.5。它的熔点高达2996℃ ,仅次于钨和铼,位居第三。钽富有延展性,可以拉成细丝式制薄箔。其热膨胀系数很小,每升高一摄氏度只膨胀百分之六点六。除此之外,它的韧性很强,比铜还要优异。

钽还有非常出色的化学性质,具有极高的搞腐蚀性。无论是在冷和热的条件下,对盐酸、浓硝酸及“王水”都反应。将钽放入200℃的硫酸中浸泡一年,表层仅损伤0.006毫米。实验证明,钽在常温下,对碱溶液、氯气、溴水、稀硫酸以及其他许多药剂均不起作用,仅在氢氟和热浓硫酸作用下有所反应。这样的情况在金属在是比较罕见的。

元素符号: ta 英文名: tantalum 中文名: 钽

相对原子质量: 180.947 常见化合价: +3,+5 电负性: 1.5

外围电子排布: 5d3 6s2 核外电子排布: 2,8,18,32,11,2

同位素及放射线: ta-179[1.8y] ta-180[1.2e15y] *ta-181 ta-182[114.43d]

电子亲合和能: 14 kj·mol-1

第一电离能: 761 kj·mol-1 第二电离能: 1560 kj·mol-1 第三电离能: 0 kj·mol-1

单质密度: 16.654 g/cm3 单质熔点: 2996.0 ℃ 单质沸点: 5425.0 ℃

原子半径: 2.09 埃 离子半径: 0.64(+5) 埃 共价半径: 1.34 埃

常见化合物: tac tan

发现人: 爱克柏格 时间: 1802 地点: 瑞典

名称由来:

得名于希腊神话中niobe的父亲坦塔罗斯国王的名字“tantalus”。

元素描述:

沉重、坚硬却富有延展性的高熔点灰色金属,十分罕见。

元素来源:

总是与铌共生于钽铁矿中。

元素用途:

常常用作铂的廉价替代品。五氧化二钽用于制造电容器,也用于制造照相机镜头以增大其折射率。钽及钽合金防锈耐磨,因此用于制造外科和牙科手术器械。

2、指网球王子中手冢tezuka和迹部aotbe。也快成为官配了吧~

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参考词条