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1)  InP-based HBT
磷化铟基异质结双极晶体管
2)  InP HBT
磷化铟异质结双极晶体管
3)  double heterojunction bipolar transistor
双异质结双极晶体管
1.
We report the performance of the first self-aligned InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) produced in China.
报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能。
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4)  DHBT
双异质结双极晶体管(DHBT)
5)  InP double heterojunction bipolar transistor
InP双异质结双极晶体管
1.
A physical model of small-signal InP double heterojunction bipolar transistor(DHBT) is developed,which takes into account the base-emitter and collector-emitter metalisations by using two additional capacitances C_mb and C_mc.
研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题。
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6)  Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
异质结双极晶体管
例句>>
补充资料：锑化镓铟晶体
分子式：InxGa1-xSb 0≤x≤l 
CAS号：

性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。闪锌矿型结构，为混合晶体。直接带隙半导体，禁带宽度在0.18～0.70eV范围。采用区域熔炼、直拉法制备。为制作激光器材料。

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