1) ultra-thin Si 3N 4/SiO 2(N/O)stack gate dielectrics
超薄Si3N4/SiO2(N/O)stack栅介质
2) ultra-thin N/O stack gate dielectrics
超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质
3) ultra-thin SiO 2 gate dielectrics
超薄SiO2栅介质
4) decrease of SiO_2 layer thickness
SiO2栅介质减薄
5) nitride/oxynitride(N/O)
Si3N4/SiO2(N/O)叠层
6) ultra thin gate oxide
超薄栅介质
1.
The electrical characteristics of the ultra thin gate oxides (3 2—6nm) are studied.
2、 4和 6 nm的 Si O2超薄栅介质 ,并研究了其特性 。
补充资料：stack mold
分子式：
CAS号：
性质：又称叠层模。本模具的型腔在二个分型面上，前后各一。与常规模具相比它的体积约大15％，产量可提高约80％。它能充分利用注塑机的锁模力，但对模具的维修要求较高。大批量生产扁平塑料件时用它可提高生产率，降低成本。
CAS号：
性质：又称叠层模。本模具的型腔在二个分型面上，前后各一。与常规模具相比它的体积约大15％，产量可提高约80％。它能充分利用注塑机的锁模力，但对模具的维修要求较高。大批量生产扁平塑料件时用它可提高生产率，降低成本。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条