1) A-Si TFT
非晶硅薄膜晶体管
1.
New Type a-Si TFT Used as Room Temperature Infrared Detector;
用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管
2) amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT)
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)
3) a-Si:H TFT
氢化非晶硅薄膜晶体管
4) a-Si TFT-LCD
非晶硅薄膜晶体管液晶显示器
1.
OKI MSM5280-5283 series LCD driver ICs with analog mode are most suitable for driving our developed a-Si TFT-LCD panel.
模拟信号驱动方式的ＯＫＩＭＳＭ５２８０—５２８３系列ＬＣＤ驱动ＩＣ，非常适合于我们所研制的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器（ａ－ＳｉＴＦＴ－ＬＣＤ）。
5) a-Si thin film
非晶硅薄膜
1.
An a-Si thin film diodes with big current densities and high on/off ratios was presented by PECVD technology.
报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条