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1)  half-back-channel
半背沟
1.
Improved hot carrier reliability for PDSOI nMOSFETs with half-back-channel implantation;
采用半背沟注入提高PDSOI nMOSFETs的热载流子可靠性(英文)
2)  dorsal groove
背沟
3)  back channel
背沟道
1.
Trapped charge buildup during irradiation in buried oxide, which dominantly induces back channel leakage,is investigated.
对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究。
4)  xugou beigun
徐沟背棍
5)  dorso-abdominal sulcus
背腹沟
6)  Notosolenus orbicuaris Stokes
圆珠背沟虫
补充资料:背散射-沟道效应


背散射-沟道效应
back scattering-channeling effect

背散射一沟道效应baek seattering一ehannelingeffeet让一束单能的带电粒子(4He+或‘H+)入射到样品上,利用它与样品表面层原子核的相互作用来分析该薄层的厚度、组分、杂质种类、含量及其分布等的技术。它是一个非常有效的分析手段,具有简单、可靠,能作定量分析而无需定标以及不破坏样品等优点。背散射实验方法自20世纪60年代末建立起来后,已在固体物理、表面物理、材料科学、微电子学等方面得到了广泛应用。 背散射实验所需的仪器设备有:提供单能离子束的加速器,测量样品的靶室,接受粒子的探测器和作信号分析的电子学测量系统。 当具有一定能量的荷电粒子入射到某一样品上时,由于受样品中物质库仑斥力的作用,粒子偏离原来的方向,发生卢瑟福弹性散射。如果散射角大于900,粒子被散射后返回,这种现象称作背散射。入射粒子的能量,对4He+选用2一3 MeV,对’H+选用200一 400keV。能量过高会受核共振的影响,过低则测量的灵敏度和分辨率太低。 当具有一定能量的荷电粒子入射到靶(样品)上与靶核碰撞后,部分能量被靶核吸收。对于重靶核,被吸收的能量少,背散射粒子基本上保持入射时的能量;对于轻靶核,大部分的能量被吸收,背散射粒子的能量很小。因此从背散射粒子的能量可以定出靶核的质量,从而对靶中元素的组成进行分析。用背散射分析杂质的灵敏度约为10‘8/em3。 粒子进入样品后,在入射和出射的行进过程中不断与样品的原子碰撞而损失能量。粒子进入样品越深,能量损失越大。利用出射背散射粒子的能量直接与发生碰撞的深度相联系,便可以测定样品的厚度和深度分布。用背散射测量深度可达几个微米,其分辨率在儿千埃的深度范围内为60一200人。 背散射产额即背散射谱的谱高正比于散射中心即靶原子的浓度,因此背散射谱可用来测定样品的杂质含量和组分。此外,谱高还取决于散射几率。入射粒子和靶原子的原子序数越大,散射几率也越大,所以用重粒子分析重靶有更高的灵敏度。 背散射测量所用离子束的流强约为10 nA。 背散射实验技术的局限性在于分析轻元素,特别是重衬底中的轻元素不灵敏,它不能用来分析化学键,不能测定相的组分和区别不同的晶体结构。此外,背散射不能作横向分析,应用这个方法时都假定样品是横向均匀的。 以上讨论的是粒子随机入射的情况,即入射粒子束不平行于单晶的晶轴或晶面,这样测得的谱称随机谱。
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参考词条