1) backscattering and channeling
背散射和沟道
2) Rutherford backscattering/channelling spectrum
背散射/沟道谱
3) backscattering/channeling technique
背散射/沟道技术
1.
The lattice damage in GsAs irradiated by 1MeV Si ̄(+) at room temperature and elevated substrate temperature has been investigated using Rutherford backscattering/channeling technique.
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在350℃高温和室温下以不同剂量注入GaAs后的晶格损伤。
4) Rutherford backscattering/channeling
卢瑟福背散射/沟道
1.
Strain in Al I[WTFZ]nGaN thin films caused by different contents of Al and In studied by Rutherford backscattering/channeling and high resolution x-ray diffraction;
用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变
2.
Depth-dependent elastic strain in ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO heterostructure studied by Rutherford backscattering/channeling;
用卢瑟福背散射/沟道技术研究ZnO/Zn_(0.9)Mg_(0.1)O/ZnO异质结的弹性应变
5) RBS/Channeling
卢瑟福背散射/沟道
1.
RBS/Channeling study on elastic strain in ZnO film grown by MOVCD;
用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变
6) RBS/C
卢瑟福背散射/沟道效应
1.
In this article, the principles of characterizing strain by RBS/C, HRXRD and Raman spectra were thoroughly described.
本文详细介绍了卢瑟福背散射/沟道效应(RBS/C)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼(Raman)谱等技术表征SiGe薄膜中应变的原理。
补充资料:背散射-沟道效应
背散射-沟道效应
back scattering-channeling effect
背散射一沟道效应baek seattering一ehannelingeffeet让一束单能的带电粒子(4He+或‘H+)入射到样品上,利用它与样品表面层原子核的相互作用来分析该薄层的厚度、组分、杂质种类、含量及其分布等的技术。它是一个非常有效的分析手段,具有简单、可靠,能作定量分析而无需定标以及不破坏样品等优点。背散射实验方法自20世纪60年代末建立起来后,已在固体物理、表面物理、材料科学、微电子学等方面得到了广泛应用。 背散射实验所需的仪器设备有:提供单能离子束的加速器,测量样品的靶室,接受粒子的探测器和作信号分析的电子学测量系统。 当具有一定能量的荷电粒子入射到某一样品上时,由于受样品中物质库仑斥力的作用,粒子偏离原来的方向,发生卢瑟福弹性散射。如果散射角大于900,粒子被散射后返回,这种现象称作背散射。入射粒子的能量,对4He+选用2一3 MeV,对’H+选用200一 400keV。能量过高会受核共振的影响,过低则测量的灵敏度和分辨率太低。 当具有一定能量的荷电粒子入射到靶(样品)上与靶核碰撞后,部分能量被靶核吸收。对于重靶核,被吸收的能量少,背散射粒子基本上保持入射时的能量;对于轻靶核,大部分的能量被吸收,背散射粒子的能量很小。因此从背散射粒子的能量可以定出靶核的质量,从而对靶中元素的组成进行分析。用背散射分析杂质的灵敏度约为10‘8/em3。 粒子进入样品后,在入射和出射的行进过程中不断与样品的原子碰撞而损失能量。粒子进入样品越深,能量损失越大。利用出射背散射粒子的能量直接与发生碰撞的深度相联系,便可以测定样品的厚度和深度分布。用背散射测量深度可达几个微米,其分辨率在儿千埃的深度范围内为60一200人。 背散射产额即背散射谱的谱高正比于散射中心即靶原子的浓度,因此背散射谱可用来测定样品的杂质含量和组分。此外,谱高还取决于散射几率。入射粒子和靶原子的原子序数越大,散射几率也越大,所以用重粒子分析重靶有更高的灵敏度。 背散射测量所用离子束的流强约为10 nA。 背散射实验技术的局限性在于分析轻元素,特别是重衬底中的轻元素不灵敏,它不能用来分析化学键,不能测定相的组分和区别不同的晶体结构。此外,背散射不能作横向分析,应用这个方法时都假定样品是横向均匀的。 以上讨论的是粒子随机入射的情况,即入射粒子束不平行于单晶的晶轴或晶面,这样测得的谱称随机谱。
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参考词条