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1)  lithography alignment
光刻对准
1.
The relation of IC manufacture process and lithography alignment are studied.
主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。
2)  Self?aligned lithography
自对准光刻
3)  lithography alignment technology
光刻对准技术
1.
The data obtained from the experiments demonstrate that the two-dimensional zero reference grating by transmission-reflection provides better contrast and distinguishing zero point capability than does the normal lithography alignment technology.
实验数据表明透反式光栅系统比一般的光刻对准技术的对比度更强,判别零位的性能更好。
4)  relaxed registration photolithography
不严格对准光刻
5)  self aligned photoresist process
自对准光刻工艺
6)  Self-aligned etching
自对准刻蚀
补充资料:Alignment对准

1. 定义:利用芯片上的对准键,一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的:在ic的制造过程中,必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案,对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法:a.人眼对准b.用光、电组合代替人眼,即机械式对准。

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参考词条