1) Immersion lithography technology
浸入式光刻技术
2) immersion lithography
浸入式光刻
1.
193 nm immersion lithography is widely accepted as the first choice for getting to 65 nm and 45 nm nodes.
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。
2.
193 ArF lithography is the core technique for 90 nm nodes,while 193 nm immersion lithography is widely accepted as the first choice for 65 nm and 45 nm nodes.
指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。
3) 193 nm ArF immersion lithography technicque
193nmArF浸没式光刻技术
4) photolithography
[英][,fəutəli'θɔgrəfi] [美][,fotolɪ'θɑgrəfɪ]
光刻技术
1.
Research on a Photolithography with LCD Real-time Masks;
液晶实时掩膜光刻技术研究
2.
According to the demand of high data density of IC devices,higher photolithography resolution is required.
光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。
5) lithography
[英][lɪ'θɔɡrəfi] [美][lɪ'θɑgrəfɪ]
光刻技术
1.
The Status and Future of Lithography and It s Application;
光刻技术及其应用的状况和未来发展
2.
This paper has provided auto-focus method of semiconduct photo lithography on Digital Image Processing ,using arithmetic of digital image processing realize auto-focus .
提出了基于图像处理的半导体光刻技术自动调焦的方法,利用图象处理算法实现半导体光刻技术的自动调焦。
3.
This paper highlights the main challenges of IC technology sca ling in deep sub-micron and nanometer, which come from lithography, transistor scaling, sub-threshold leakage, interconnect scaling, power dissipation, platfo rm integration etc.
文中分析了按比例缩小在光刻技术、器件的亚阈特性、互连延迟以及功耗等方面面临的一些问题 ,同时从工艺、器件、电路、设计等方面提出一些相应的解决方
补充资料：胎紧浸入和套紧浸入
胎紧浸入和套紧浸入
tight and taut immersions
矍数) 图3 犷鳖{ 图4 称空间A CB的嵌人在Z:同调中为单射的(in-Jeetive)，如果对于i)0，诱导同态万.(注，22)~H.(B，22)是单的.令HC=R“是R“中带有超平面边界aH的半空间.例如， H=H:(t)={x“R“:z’(x)簇r}.如果f是一个胎紧浸人，h:是一个非退化的高度函数，那么由Morse理论得到f一’(万:(r))C=M在22同调中是单的.于是由连续性，对任一半空间H这种单性都成立.对于闭流形的光滑浸人，这种半空间性质等价于胎紧性.然而，这种半空间定义也能应用于更大范围的从流形和其他紧拓扑空间到RN中的连续浸人或甚至是映射中去.一个例子是胎紧的“瑞士干酪”，它是一个带边的嵌人曲面，见图5.一个到R中的胎紧映射也称为一个完满函数(详rfect丘inction).公 图5今 图6 对于曲线和闭曲面，半空间性质可导出对任一半空间H，f一’(H)是连通的.它等价于R功ehoff两片性质(R朔chofft场。一pieee pro详rty)，即R“中的任一超平面日H将M至多分割成两个连通的片，见图3和图4中的胎紧曲面和图2中的非胎紧曲线. 半空间定义将胎紧性置于经典几何学和凸性理论之中.由于胎紧性在RN中的任意将凸包才(f(M))映到RN内的射影变换下是不变的，因此胎紧性是一个射影性质(见射影几何学(projeetive罗。
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参考词条