1) 193 nm ArF immersion lithography Equipment
193nmArF浸没式光刻机
2) 193 nm ArF immersion lithography technicque
193nmArF浸没式光刻技术
3) 193nm ArF stepper
193nmArF光刻机
4) immersion lithography
浸没式光刻
1.
Process window improvement is presented due to off-axis illumination(OAI) and phase-shifting mask(PSM) for 193 nm immersion lithography at 65 nm node.
研究了交替型相移掩模及离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响。
2.
Immersion lithography improves critical dimension uniformity (CDU) as well as avoiding the necessity for strong resolution enhancement techniques (RET) as compared with dry lithography.
通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势。
3.
The principle of immersion lithography is analyzed,several fundamental issues of immersion lithography are discussed,and development status of the immersion lithographic tools is described.
浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。
5) Immersion ArF Lithography
浸没式ArF光刻
1.
Most Recent Development of Immersion ArF Lithography;
浸没式ArF光刻最新进展
6) ArF immersion lithography
ArF浸没式光刻
1.
The effect of off-axis illumination for ArF immersion lithography is studied at 65 nm node.
研究了离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响。
补充资料：浸没
浸没
submersion
浸没【，】加祀‘佣;e西Mepe一，二] 从川维流形M到。维流形N(n蕊m)中的一个映射/:M一N，在该映射下，对任何点p6M，可能诱导出M上点p附近的一个局部坐标x，，…，丸:和N上点./(川附近的局部坐标y，，…，夕。，使得厂依照这些坐标用 (二.，二，义，。)，(.‘.，…，义。)局部地表示.如果M和N其有分片线性、分片解析或(C人阶)分片可微流形的结构和局部坐标可选取分片线性、分片解析或(C，阶，l蕊k)分片可微，则浸没称为分片线性的(p肥~一linear)、分片解析的(p~一a耐卿)或(Cl阶)分片可微的(p毗~-dil企rentiable)，对于带边流形(在拓扑的问题中，当趋于边界时，给映射的性质强加一个额外的条件是可取的，见【l」)和无穷维的情形(见【2])，浸没也可定义.浸没的概念在非正式的意义下是浸入(i~-sion)(也见流形的浸入(~rsion of a manifokl))概念的一个对偶，且它们的理论是类似的.【补注】当M是一个开流形时，浸没是通过切丛的诱导映射TM一TN而被分类的.见【AI].
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参考词条