1) Fowler-Nordheim tunneling
电场协助隧穿
1.
The result indicated that carrier crossed silicon oxide films by the Fowler-Nordheim tunneling model at a high bias voltage.
结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电流的产生则以热电子发射的方式为主。
2) Field aided tunnel
场助隧穿
3) thermally assisted tunneling
热助隧穿
4) band trap band current
陷阱辅助隧穿电流
5) tunneling current
隧穿电流
1.
The external condition could induce the change of piezoelectric field in superlattices and further induce the change of tunneling current.
外界条件可引起超晶格中内建电场的变化,进而引起隧穿电流的变化。
2.
Results show that with the increment of doping level, the peak tunneling current density increases for GaInP/GaAs tandem solar cells, and the performance of GaInP tunnel junctions are much better than GaAs tunnel junctions.
主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。
3.
The gate direct tunneling current in ultra-thin oxide is computed with different device parameters.
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。
6) tunnelling electrons
隧穿电子
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条