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1)  SiGe epitaxial layer
硅锗固熔体
2)  melt germanium
锗熔体
1.
Th result showed,the viscosity of the melt germanium is lower than ususal.
采用旋转转子法,测量研究了不同垂直磁场条件下,不同温度时锗熔体的磁粘度。
3)  silicon melt
硅熔体
1.
Hydrothermal wave in shallow annular silicon melt pool;
环形浅池内硅熔体中的热流体波
2.
The effective viscosity of silicon melt in magnetic field;
半导体硅熔体的有效(磁)黏度
3.
A magnetic field generated by a magic ring was applied to silicon melt,and the effective viscosities of silicon melt were measured by the method of rotary vibration.
用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁感应强度,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的磁粘度(有效粘度)。
4)  SiGe-on-insulator
绝缘体上的硅锗
1.
SiGe-on-insulator fabricated by oxidation enhanced SIMOX;
氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
5)  SGOI
绝缘体上的锗硅
6)  SiGe semiconductor material
锗硅半导体材料
补充资料:含锗铁矿鼓风炉挥发提锗


含锗铁矿鼓风炉挥发提锗
extraction of germanium from iron ore containing germanium by volatilization in blast furnace

氧化物和硫化物形态存在。这些锗化物在高温、弱还原气氛下形成易挥发的GeS、GeS:和GeO进入烟尘。通过控制熔炼温度和还原气氛,就可使锗挥发入烟尘得到提取。 含锗铁矿按焦比0.6配入焦炭和一定量熔剂后,加入鼓风炼铁炉内。炉内料柱高1.2~1.6m。鼓入风压2.9一4.4kPa、风量为15m3/min的空气,在1523一1773K温度和控制CO:(CO+COZ)~0.6一0.7弱还原气氛下进行熔炼。在熔炼过程中,炉顶温度控制在873一923K。在此熔炼条件下,铁矿中锗的大部分以Ges、GesZ、Geo的形态挥发入烟气。烟气先经重力沉降器,再进入旋涡除尘器,然后通过空气冷却管道,最后用布袋收尘器收得锗尘。 适当延长鼓风炉的高温区,是提高锗挥发率的关键。控制炉内气氛,则是影响锗挥发率的另一重要因素。炉内气氛的还原性过强,部分铁矿被还原成铁,部分化合态锗也被还原成金属锗,二者形成合金。合金一部分混入炉渣,另一部分沉积于炉缸,从而降低锗的回收率。为达到所需的还原气氛和高的熔炼温度,使作业能连续而顺利地进行,必须造流动性好的渣。如造成分为510:25%~30%、FeO45%一50%、AIZO:10%一15%及CaOS%的渣型,并实施作业区按高度分布的控温制度,使风口高温区延长。收得的重力尘和旋涡尘,可制团后返回鼓风炉熔炼。 含锗0.3%~。.6%的冷却尘和含锗0.6%一1.35%的布袋尘,按烟尘的含锗品位分别经酸浸出后,所得酸浸出母液送萃取、丹宁沉淀、焙烧,或直接送丹宁沉淀、焙烧得锗精矿。锗精矿进一步采用经典氛化法提锗产出Geo:产品。炉渣含锗0.001%一0.002%,选矿后送炼铁厂综合利用。炼得的锗铁合金含锗大于1%,可用电解法或高温氯化法分别回收锗和铁。此法的工艺流程如图。 此法产出的渣量大,约25%的锗随渣流失,挥发过程的锗回收率仅55%左右,成本很高。单纯用含锗一自 酸浸出液一详乖协一二 锗水相丹宁锗一浮中 丹宁锗锗精矿臼 G赶UZ产品 含锗铁矿鼓风炉挥发提锗流程honzhetiekuang gufenglu hu{fa tlzhe含锗铁矿鼓风炉挥发提锗(extraetion ofgermanium from iron ore eontaining ger-manium by volatilization in blast furnaee) 在鼓风炉中于高温、弱还原性气氛条件下熔炼含锗铁矿,使锗挥发进入烟尘的锗回收方法。 中国在1964年前曾用这种方法从含锗铁矿中回收锗。保加利亚、日本和前苏联都用类似方法进行过从含锗铁矿中回收锗的试验研究。 含锗铁矿一般含锗0.003%~0.01%,多以铁矿石为原料提锗,因在经济上不合算,已停止使用。
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