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1)  hot-carrier injection
热载子注入
1.
By comparing the MOS structure’s responses to hot-carrier injection and total dose radiation,the correlation between them is investigated.
通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性。
2)  HCI
热载流子注入
1.
The couple effects and physical mechanism of HCI(hot-carrier injection) and NBTI(negative bias temperature instability) in deep submicron pMOSFET’s are investigated.
研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制。
3)  carrier injection
载子注入
4)  HCI degradation
热载流子注入退化
5)  HCI effects
热载流子注入效应
1.
The influence of NBTI and HCI effects on the degradation of PMOSFETs characteristics is discussed in this paper.
首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释。
6)  carrier injection
载流子注入
1.
The coulumb effect on the carrier injection process of BN nanotube;
BN纳米管载流子注入的库伦效应
2.
The carrier injection process of polymer light-emitting diodes (PLEDs) with MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene]) as the light-emitting layer, was investigated using impedance spectroscopy, capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-F) techniques.
采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程。
3.
The process of carrier injection is one of the most fundamental physical processes in PLED.
聚合物发光器件载流子注入过程是器件的一个基本物理过程,它对器件的许多重要性能都有重要的影响,为了提高电子的注入,经常在聚合物发光器件阴极与有机发光层之间插入一层介质修饰层,为了解阴极修饰层厚度变化时阴极电子的注入特性,本文制作了以MEH-PPV为有机发光层的聚合物电致发光器件,阴极修饰材料用LiF,当只改变LiF厚度时,一定电压下,器件的电流值随之先增大,而后又减小,这说明LiF在作为阴极修饰层时,存在一个最优厚度,这时电子注入势垒较低。
补充资料:风流子 金石萃编卷一百五十八载温泉风流子
【诗文】:
三郎年少客,风流梦、乡岭蛊瑶环。看浴酒发春,海棠睡暖,笑波生媚,荔子浆寒。况此际、曲江人不见,偃月事无端。羯鼓数声,打开蜀道,霓裳一曲,舞破潼关。马嵬西云路,愁来无会处,但泪满关山。赖有紫囊来进,锦袜传看。叹玉笛声沉,楼头月下,金*信杳,天上人间。几度秋风渭水,落叶长安。云,近侍副使仆散公,博学能文,尤工於诗。昔过华清,堂逡风流子长短句,题之于壁,其清新婉丽,不减秦晏。四方衣冠,争诵传之,称为今之绝唱。恐久而湮灭,命刻于石,以传不朽。正大三年重九日承务郎主簿幕蔺记。王昶跋云,升庵谓必元人作者,盖匆匆见石刻,未及细检记有正大


【注释】:



【出处】:
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参考词条