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1)  SiGe quantum dots
Si Ge量子点
1.
A novel flash memory cell with stacked structure (Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/poly-Si floating gate) is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing.
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。
2)  Ge/Si quantum dots
Ge/Si量子点
3)  Si-based Ge Quantum-dots
Si基Ge量子点
4)  Ge/Si quantum-well
Ge/Si量子阱
5)  Ge-dots/Si multilayered structure
Ge/Si量子点多层结构
6)  Ge/Si self-organized quantum dot
Ge/Si自组织量子点
补充资料:单量子阱(见量子阱)


单量子阱(见量子阱)
single quantum well

单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
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参考词条