2) GaInP/GaAs/Ge solar cells
GaInP/GaAs/Ge太阳电池
3) GaInP/(In)GaAs/Ge triple-junction cell
GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池
4) Ge on GaAs
Ge/GaAs
5) GaInP_2/GaAs/Ge
CaInP_2/GaAs/Ge
1.
The Study on Growth of GaInP_2/GaAs/Ge Dual-junction Solar Cell and Processing of Solar Concentrators;
本文致力于用自制的低压MOCVD装置进行CaInP_2/GaAs/Ge空间用高效级联太阳能电池制作的工艺以及聚光太阳能电池组件的研究。
6) GaInP/GaAs dual-junction tandem solar cell
GaInP/GaAs双结叠层太阳电池
1.
And as a result,the efficiency of GaInP/GaAs dual-junction tandem solar cells has reached to 23.
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条