1) HfC
碳化铪
1.
The carbon felt reinforced HfC-C/C and C/C composite integrated throats were prepared by thermal gradient chemical vapour infiltration process,and their ablation resistance was determined by using an equipment of solid rocket motor under the pressure of 7MPa.
采用热梯度化学气相沉积工艺制备了碳化铪改性和未改性整体炭毡增强的炭/炭(C/C)复合材料整体喉衬,采用小型固体火箭发动机试车台装置(平均工作压强为7MPa)测定了它们的烧蚀性能。
2) hafnium carbide
碳化铪
1.
Result shows hafnium carbide formed on the surface of CNT films at annealing temperature of 1200℃,which improved the field emission current densities,emission uniformity and emission stability for CNT films.
研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性。
3) hafnium carbide phase
碳化铪相
4) hafnium carbide
碳化铪<冶>
5) hafnium carbide ceramics
碳化铪陶瓷
6) silicon carbide-hafnium silicide-tantalum disilicide
碳化硅-硅化铪-硅化钽
1.
To prevent the ablation of carbon fiber reinforced carbon(C/C) composites from high temperature,a silicon carbide-hafnium silicide-tantalum disilicide(SiC-HfSi2-TaSi2) compound coating with high temperature anti-ablation ability was prepared on the surface of C/C composites by a calcining technique of pack cementation.
采用包埋技术在碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)复合材料表面制备了碳化硅-硅化铪-硅化钽(SiC-HfSi2-TaSi2)抗烧蚀复合涂层。
补充资料：碳化铪陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：铪和碳的化合物为主要成分的陶瓷。碳化铪(HfC)理论密度12.7g/cm3，熔点3890℃，是已知单一化合物中熔点最高者。体积电阻率1.95×10-4Ω·cm(2900℃)，热膨胀系数6.73×10-6/℃。通常用二氧化铪(HfO2)与碳在惰性或还原性气氛中合成粉末，反应温度1900～2300℃，用热压烧结法或热等静压法制出高密度陶瓷甜品。碳化铪能与许多化合物(如ZrC、TaC等)形成固溶体。如组分为HfC-4TaC的复合碳化物，其显微结构呈二相：一相为碳化铪-碳化钽的共晶体；另一相为外形比是50：1的针状的游离石墨相。这种“近共晶”碳化铪(HfC)制品具有良好热稳定性和高的熔点，可作火箭喷管的喉部材料。
CAS号：
性质：铪和碳的化合物为主要成分的陶瓷。碳化铪(HfC)理论密度12.7g/cm3，熔点3890℃，是已知单一化合物中熔点最高者。体积电阻率1.95×10-4Ω·cm(2900℃)，热膨胀系数6.73×10-6/℃。通常用二氧化铪(HfO2)与碳在惰性或还原性气氛中合成粉末，反应温度1900～2300℃，用热压烧结法或热等静压法制出高密度陶瓷甜品。碳化铪能与许多化合物(如ZrC、TaC等)形成固溶体。如组分为HfC-4TaC的复合碳化物，其显微结构呈二相：一相为碳化铪-碳化钽的共晶体；另一相为外形比是50：1的针状的游离石墨相。这种“近共晶”碳化铪(HfC)制品具有良好热稳定性和高的熔点，可作火箭喷管的喉部材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条