1) stress induced leakage current
应力诱生漏电流
1.
Generation mechanism of stress induced leakage currentin flash memory cell;
闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
2) stress induced leakage current(SILC)
应力诱生漏电流(SILC)
3) stress induce leakage current
应力诱导漏电流
4) SIL C
应变诱导漏电流
5) SILC
应力感应漏电流
1.
Stress-induced leakage current (SILC) of ultrathin gate oxide is investigated by observing the generation of interface traps for n-MOSFET and p-MOSFET under hot-carrier stress.
通过测量界面陷阱的产生 ,研究了超薄栅 n MOS和 p MOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流( SIL C) 。
2.
The degradation of device parameters and the degradation of the stress induced leakage current(SILC)of thin tunnel gate oxide under constant direct-tunneling voltage stress are studied using nMOS and pMOSFETs with 1.
4nmMOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化。
6) SILC
应力引起的泄漏电流
补充资料：反向漏电流（inverseleakagecurrent）
反向漏电流（inverseleakagecurrent）
流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流。理想pn结反向漏电流中还包括体内扩散电流与空间电荷区产生电流两部分，硅pn结空间电荷区产生电流起支配作用。反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系，反向漏电流中还包括表面漏电流，表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条