1) EBIC
电子束诱生电流
1.
The grain boundary(GB) character and recombination activity of grain boundaries(GBs) in multicrystalline silicon(mc-Si) were studied by means of electron back-scattered diffraction(EBSD) and electron-beam-induced current(EBIC) techniques.
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。
2.
The recombination activity of grain boundaries (GBs) in casting multicrystalline silicon (mc-Si) was investigated through an electron beam induced current (EBIC) technique.
本文利用电子束诱生电流(EBIC)对铸造多晶硅中晶界的复合特性进行了研究。
2) electron beam induced current
电子束感生电流
1.
Moreover, the electron beam induced current (EBIC) profile in which the p n junction is parallel to the electron beam is obtained using SEM.
应用扫描电子显微镜 (SEM )对GaP半导体材料的 p n结进行线扫描 ,得到电子束感生电流 (EBIC)的线扫描曲线 。
3) electron beam
电子束流
1.
Multichannel hodoscope of electron beam energy spectrum;
多道电子束流能谱描迹仪
2.
The definition and measurement method of electron beam (EB) focal spot is reviewed.
回顾了焦点定义和测量方法 ,首次明确将电子束流焦点状态与焊接过程建立直接联系 ,揭示了具有焊接特征焦点与测量方法的内在关系 ,并根据束流与金属是否产生作用和作用的程度 ,将焦点分类成静态焦点、准动态焦点和动态焦点。
3.
Electron beam technology is being widely used in many applications.
在不同参数条件下,利用PIC方法计算电子束流的主要参数,分析了电子枪结构参数、空间电荷作用对束流特性的影响。
4) electron beam current
电子束流
1.
This paper introduces rapidly controlling principle on electron beam current for electron beam welder(EBW).
介绍了电子束焊机用电子束流快速控制原理。
5) laser beam induced current (LBIC)
激光束诱导电流
1.
The standard diffusion length (L_p) test procedure is apt to damage the p-n junction, so we often use characteristic decay length (L) obtained by laser beam induced current (LBIC) instead of L_p.
由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp。
6) electron beam induced deposition
电子束诱导沉积
1.
It utilizes the electron beam induced deposition of nanocarbon in an ordinary scanning electron microscope.
文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。
补充资料：电子束诱导电流
电子束诱导电流
electron beam induced current method
电子束诱导电流eleetron beam induced eurrentmethod高能电子束照射到有势垒的半导体上所产生的电流。电子束诱导电流的形成过程是:当高能电子束与半导体相互作用时，由于碰撞电离，在轰击区会产生大量的电子一空穴对;在势垒区两边一个扩散长度内的电子或空穴就能扩散到势垒区而被势垒电场所分开，在外电路上输出一个比电子束流大得多的诱导电流。电子束诱导电流图象是扫描电子显微镜的一个重要工作模式，它的主要应用有:①PN结性能的研究与鉴定;②半导体中的原生缺陷与二次缺陷的观察与研究;③半导体器件与集成电路的失效分析;④微区域半导体材料特性参数，如扩散长度、少子寿命以及深能级等的测量与分析。(李成基)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条