1) two-dimensional hole gas
二维空穴气
1.
The valence band structure of p-type heterostructure quantum well and two-dimensional hole gas are calculated by this method and the reduced finite difference calculation.
提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法。
2.
To visualize the relationship between the collector current and source-drain voltage in the SiGe/Si chare injection transistor (CHINT), the mathematical model of this device is set up by using the tunnel model of two-dimensional hole gas(2DHG)in SiGe/Si quantum well.
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1。
2) secondary voids
二次空穴
1.
It is found that, with blunting to verticles while crack initiating, crack propagating in 16Co14Ni10Cr2Mo steel is an alternative process through coalescence of microvoids, including primary voids and secondary voids located on high-energy interfaces.
研究发现，该钢种裂纹钝化方式为角形钝化，裂纹的扩展是高能界面上空穴连接够有选择性的过程，与一次空穴和二次空穴的形成有关。
3) air-cavity
空气穴
4) cavity leakage
空穴漏气
1.
Numerical simulation against unsteady flow from cavity leakage of turbomachinery stage
透平机械空穴漏气非定常流动的数值模拟
5) cavitate
['kæviteit]
出现气[空]穴，抽空
6) screening of electron-hole gas
电子-空穴气屏蔽
补充资料：二维电子气
当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，其中就会积累起大量的电子。如果表面上的电场很强，这些电子形成一个薄层（厚度小于10-6 厘米）。这时电子沿垂直于表面方向的运动变得量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。这样一个薄的电子层称为二维电子气。例如金属-氧化物-半导体结构中的反型层和积累层，以及在两种不同半导体形成的异质结界面附近都会形成二维电子气。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条