2) Superlattice semiconductors
超晶格半导体
3) semiconductor superlattice
半导体超晶格
1.
Researches on Phonon Polaritons and Excitons in Semiconductor Superlattice Structures;
半导体超晶格结构中声子—极化激元与激子性质研究
2.
The boundary condition method was improved by introducing the transfer matrix,and the improved method was used to investigate the electronic localization of an infinite and irregular semiconductor superlattice.
通过引入转移矩阵改进了边界匹配方法，并利用这种方法研究了不规则半导体超晶格中电子的局域性。
3.
Semiconductor superlattice is a active forward position in condensed state physics and a bright pearl in development history of semiconductor science technology.
半导体超晶格的研究是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿和半导体科学技术发展史上一颗璀璨的明珠。
4) metal superlattice
金属超晶格
1.
This paper describes the fabrication, special characteristics and applications of low dimension materials, including dielectric superlattices, metal superlattices and one dimensional quantum wires.
主要论述了低维材料的制造方法、特异性能及在光电子和微电子器件领域的应用,包括介质超晶格、金属超晶格和一维量子线;介绍了我们分别采用激光分子束外延制备的BaTiO_3/SrTiO_3介质超晶格及其介电性能、直流磁控溅射法制备的强紫外光反射的Cu/Ti超晶格和宽禁带的一维ZnO量子线;描述了低维材料的发展前景。
5) MSBJT
金属-半导体双极晶体管
1.
Based on the superior properties of 4H-SiC and the basic structure of NPN Bipolar Junction Transistors(BJTs),a new Metal-Semiconductor BJTs(MSBJTs)is proposed, and its basic characteristics are analyzed with numerical simulation.
基于4H-SiC材料的优越特性和NPN双极晶体管的基本结构,本文提出了一种新型金属-半导体双极晶体管(MSBJT),并对其基本特性进行模拟和分析。
补充资料：半导体超晶格
半导体超晶格
semiconductor superlattice
牛导体超晶格Sernleonduetor多年来发展起来的人工改性新材料。superlattiee近20 是将两种(或两种以上)组分不同、或导电类型不同的极薄(几埃到几百埃)半导体单晶薄膜交替地外延生长在一起而形成的周期结构材料。 简史超晶格的概念是美国IBM公司的江崎玲敖奈(L.Esaki)和朱兆样于1969年提出的。他们认为，在原晶体晶格的周期势场上加上超晶格的周期势场，原晶体的能带结构会受到扰动。由于超晶格的周期d通常比原晶体的晶格常数a大得多，于是在动量空间中对应的布里渊区就会小得多，原来边界为二/a的布里渊区会分裂成边界为万/d的许多微小布里渊区，而原晶体抛物线型的导带和价带则会分裂为许多由子禁带分隔开的子能带。在超晶格的生长方向上，载流子的能量量子化(即所谓的量子尺寸效应)。子能带的形成及其具体分布可用量子力学方法计算获得。他们从理论上预计，在与超晶格周期势方向相同的外电场的作用下，子能带中的电子比较容易通过E一K曲线上尹E阳万2=O的“屈折”点，从正加速区进入负加速区，在宏观上出现负阻效应。这在通常的晶体中，要将电子加速到“屈折”点需很大的电场而难以实现。此外，电子在超晶格中还可能到达微小布里渊区的边界而出现布洛赫振荡效应，理论预计其振荡频率可高达1000 GHzo 要制备出超晶格材料，必须能够交替重复地生长层数多达数十至数百的、厚度以原子层量度的单晶薄膜。1971年，美国贝尔实验室卓以和(A.Y.Cho)首先发明了分子束外延设备，并用该设备生长出GaAs/AIGaAs周期结构材料。1972年，美国IBM公司的张立刚(L.L.Chang)等人用同样技术生长出100多个周期的、每层厚100入左右的GaAs/AIGaAs超晶格材料，并在研究其输运特性时观察到负阻效应。从此，超晶格的研究引起了人们的重视。随着超薄层材料生长技术的发展与完善，超晶格领域的研究在80年代有了很大的发展。 不同类型的半导体超晶格材料及其主要特征20多年来，对超晶格材料的研究范围十分广泛，涉及到nl-V族、11一VI族、IV一VI族、W族和非晶态等材料体系。按其所含的组分数目可分为只含一种组分的掺杂超晶格，含两种组分的组分超晶格和含两种以上组分的复型超晶格。按组分材料之间的晶格匹配情况又可分为晶格匹配的超晶格和失配的应变层超晶格。对超晶格结构的研究还在向每层仅几个原子层厚和低维度方向发展，因此还有所谓短周期超晶格和一维、零维超晶格等新型结构。
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参考词条