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1)  cubic semiconductor
立方晶格半导体
2)  body-centred cubic cell
体立方晶格(晶胞)
3)  Superlattice semiconductors
超晶格半导体
4)  semiconductor superlattice
半导体超晶格
1.
Researches on Phonon Polaritons and Excitons in Semiconductor Superlattice Structures;
半导体超晶格结构中声子—极化激元与激子性质研究
2.
The boundary condition method was improved by introducing the transfer matrix,and the improved method was used to investigate the electronic localization of an infinite and irregular semiconductor superlattice.
通过引入转移矩阵改进了边界匹配方法,并利用这种方法研究了不规则半导体超晶格中电子的局域性。
3.
Semiconductor superlattice is a active forward position in condensed state physics and a bright pearl in development history of semiconductor science technology.
半导体超晶格的研究是凝聚态物理学中一个极其活跃的前沿和半导体科学技术发展史上一颗璀璨的明珠。
5)  body-centered cubic crystal
体心立方晶格
1.
The shape of Brillouin zone of body-centered cubic crystal is not normal dodecahedron;
体心立方晶格的布里渊区形状不是正十二面体
6)  body-centered cubic lattice,body-centered cube space lattice
体心立方晶格<冶>
补充资料:半导体超晶格(semiconductorsuperlattice)
半导体超晶格(semiconductorsuperlattice)

由一组多层薄膜周期重复排列而成的单晶。多层薄膜中各层厚度从几个到几十个原子层范围。各层的主要半导体性质如带隙和掺杂水平可以独立地控制。多层薄膜的周期可以在生长时人为控制,因而得到了人造的晶体结构即超晶格。多层薄膜中各层的组分突变的超晶格称为组分调制超晶格;各层掺杂原子型号发生突变的超晶格称掺杂调制超晶格。组分调制超晶格的能带图与多量子阱类似,惟一的区别是超晶格中由于势垒层厚度小于电子的德布罗意(deBroglie)波长,相邻势阱中的电子波函数发生交叠,因而多量子阱的离散能级将展变为能带,其能带宽度及位置与势阱深度、宽度及势垒厚度有关。超晶格具有一些普通半导体中没有发现的有用性质。

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