衬底型双极晶体管,substrate bipolar transistor,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

您的位置：首页 -> 词典 -> 衬底型双极晶体管

1) substrate bipolar transistor 点击朗读

衬底型双极晶体管

A high accuracy temperature sensor is designed by applying the temperature characteristics of a substrate bipolar transistor in CMOS technology.

利用CMOS工艺下衬底型双极晶体管的温度特性,设计了一种精度较高的温度传感器。

2) PNP substrate transistor 点击朗读

衬底PNP型双极型晶体管

The temperature related model and the influencing factor of two temperature sensing devices, subthreshold MOSFET and PNP substrate transistor, based on CMOS process were analyzed and compared, and pointed out that the PNP substrate .

对CMOS工艺下的两种感温元件,即亚阈值工作状态下的金属场效应晶体管(MOSFET)及衬底PNP型双极型晶体管(BJT)的温度模型和影响因素进行了分析和比较,指出了衬底PNP型BJT更适合作为温度传感器的温度敏感元件。

3) the substrate PNP bipolar transistor 点击朗读

衬底PNP双极型晶体管

4) bipolar transistor 点击朗读

双极型晶体管

By comparing with bipolar transistor, LDMOS power transistor has many advantages especially on .

本文介绍了一种新型的功率器件：LDMOS功率晶体管，讲述了LDMOS功率晶体管的发展动态和应用前景，通过与双极型晶体管的对比，表明了该器件具有高增益等方面的优点。

更多例句>>

5) Silicon bipolar junction transistor 点击朗读

硅双极型晶体管

6) BJT model 点击朗读

双极晶体管模型

补充资料：绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT

　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

双极晶体管绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 绝缘栅型双极晶体管异质结双极型晶体管 HBT(异质结双极型晶体管)

衬底晶体管效应绝缘门极双极型晶体管绝缘栅极双极型晶体管

说明：双击或选中下面任意单词，将显示该词的音标、读音、翻译等；选中中文或多个词，将显示翻译。
	您的位置：首页 -> 词典 -> 衬底型双极晶体管 1) substrate bipolar transistor 衬底型双极晶体管 1. A high accuracy temperature sensor is designed by applying the temperature characteristics of a substrate bipolar transistor in CMOS technology. 利用CMOS工艺下衬底型双极晶体管的温度特性,设计了一种精度较高的温度传感器。 2) PNP substrate transistor 衬底PNP型双极型晶体管 1. The temperature related model and the influencing factor of two temperature sensing devices, subthreshold MOSFET and PNP substrate transistor, based on CMOS process were analyzed and compared, and pointed out that the PNP substrate . 对CMOS工艺下的两种感温元件,即亚阈值工作状态下的金属场效应晶体管(MOSFET)及衬底PNP型双极型晶体管(BJT)的温度模型和影响因素进行了分析和比较,指出了衬底PNP型BJT更适合作为温度传感器的温度敏感元件。 3) the substrate PNP bipolar transistor 衬底PNP双极型晶体管 4) bipolar transistor 双极型晶体管 1. By comparing with bipolar transistor, LDMOS power transistor has many advantages especially on . 本文介绍了一种新型的功率器件：LDMOS功率晶体管，讲述了LDMOS功率晶体管的发展动态和应用前景，通过与双极型晶体管的对比，表明了该器件具有高增益等方面的优点。更多例句>> 5) Silicon bipolar junction transistor 硅双极型晶体管 6) BJT model 双极晶体管模型补充资料：绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管 insulated gate bipolar transistor,IGBT 　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条双极晶体管绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 绝缘栅型双极晶体管异质结双极型晶体管 HBT(异质结双极型晶体管)

©2011 dictall.com