1) gate controlled device
栅控型器件
2) full controlled electronic devices
全控型器件
3) DG-MOSFET
双栅器件
1.
Asymmetric gate bias in UTB DG-MOSFET with negative gate-overlap;
非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用
4) groove-gate MOSFETs
槽栅器件
1.
The groove-and planar-gate MOSFETs are compared and analyzed through simulation with the software SIVALCO,and the results show that the groove-gate MOSFETs can suppress short channel and hot carries effects.
采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因。
5) Floating-gate Device
浮栅器件
6) floating ROM device
浮栅ROM器件
1.
γ-ray,X-ray and neutron irradiation effects of floating ROM devices were measured.
本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。
补充资料：微波电控器件
利用参数可电调的材料和器件组成的控制微波信号幅度或相位的器件。可电调的材料和器件主要有半导体二极管（如PIN管、 变容管和肖特基管等）和铁氧体材料（见微波铁氧体器件）。控制信号幅度的器件有衰减器、调幅器、开关器和限幅器等；控制信号相位的有移相器和调相器等。
PIN管具有不同的正反向特性,当它被反向偏置时可等效为小电容而近似开路，而在正向偏置时则可等效为可变电阻,若偏压增大,其阻值则减小。PIN管衰减器(图1)就是利用这一特性工作的,从它的等效电路（图2）可见,当PIN管反偏置时，衰减器即相当于滤波器，可设计成几乎没有衰减，而PIN管正偏置时，衰减器为一电阻衰减器,改变偏压即可改变衰减。若正偏置衰减甚大而反向偏置衰减甚小，衰减器即成为开关器。若以调制信号作为偏置电压，则通过衰减器的微波信号会受到幅度调制，遂成为调幅器。 图3为典型的 PIN管加载线移相器。当PIN管被正偏置时,可等效为高电阻而近似开路，信号从A到B的相移为θ1;而PIN管为反偏置时,可等效为小电容,信号从A到B的相移变为θ2,两者之差就是移相器的相移。这种加载线移相器只能产生较小的相移；较大的相移则须采用混合接头移相器等其他结构才能实现。若把移相器的正偏置相移视为零，而将反偏置相移设计成π，则移相器就成为0～π调相器。若用变容管代替PIN管并调节偏压值，则构成相移量连续变化的电控可变移相器。
由于电控器件的控制对象不同，所要求的指标也不一样。除了工作频率、频带宽度和输入电压驻波比等一般要求之外，还应有诸如开关时间、开关功率等特殊指标。
PIN管具有不同的正反向特性,当它被反向偏置时可等效为小电容而近似开路，而在正向偏置时则可等效为可变电阻,若偏压增大,其阻值则减小。PIN管衰减器(图1)就是利用这一特性工作的,从它的等效电路（图2）可见,当PIN管反偏置时，衰减器即相当于滤波器，可设计成几乎没有衰减，而PIN管正偏置时，衰减器为一电阻衰减器,改变偏压即可改变衰减。若正偏置衰减甚大而反向偏置衰减甚小，衰减器即成为开关器。若以调制信号作为偏置电压，则通过衰减器的微波信号会受到幅度调制，遂成为调幅器。 图3为典型的 PIN管加载线移相器。当PIN管被正偏置时,可等效为高电阻而近似开路，信号从A到B的相移为θ1;而PIN管为反偏置时,可等效为小电容,信号从A到B的相移变为θ2,两者之差就是移相器的相移。这种加载线移相器只能产生较小的相移；较大的相移则须采用混合接头移相器等其他结构才能实现。若把移相器的正偏置相移视为零，而将反偏置相移设计成π，则移相器就成为0～π调相器。若用变容管代替PIN管并调节偏压值，则构成相移量连续变化的电控可变移相器。
由于电控器件的控制对象不同，所要求的指标也不一样。除了工作频率、频带宽度和输入电压驻波比等一般要求之外，还应有诸如开关时间、开关功率等特殊指标。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条