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1)  half control power electron unit
半控型功率电子器件
2)  electronic components of high power
功率电子元器件
3)  power electronic semiconductor
电力半导体功率器件
1.
This paper introduces the design of driving circuit for power electronic semiconductor,which is popular today,and the main principles for the design Furthermore,it gives some typical driving circuit
本文详细介绍了现代较为流行的电力半导体功率器件的驱动电路设计的主要原则及一些典型电路。
4)  high power electronic devices
大功率电力电子器件
5)  semi conductor power device and power integrated circuit
半导体功率器件及功率集成电路
6)  power semiconductor devices
功率半导体器件
1.
All of various new power semiconductor devices use infegrati on technology from the microelectronics and have achieved power integration.
功率半导体器件主要用来控制能源和负载之间的能量流,使这种控制有很高的精度,特别快的控制时间和很小的耗散功率。
补充资料:电子器件


电子器件
electronic devices

  d lonzl ql]lon电子器件(eleetronie deviees)主要由电子在真空、气体或半导体中的运动来实现电传导的一种器件。用它来完成电子电路中特定的功能,如信号的提取、放大、整形、传输,生产过程的自动检测、自动控制和保护等。器件的不断更新换代往往会带来电子电路功能的极大提高,甚至引起电路功能的革命性变化。电子器件包括半导体器件、真空电子器件和充气电子器件。 简史电子器件的发展与电子有关。从1897年由J.J.汤姆逊(J .J.Thomson)用实验验证了电子的存在以后,到1904年J.A.弗莱明(J .A.Fleming)发明了最简单的真空二极管,1906年由L.德福雷斯特(L·De·Forest)在二极管中再引人一个控制栅极,成为具有放大作用的三极管,自此以后,就出现了第一代电子器件—真空管,又称电子管。后来为了使器件趋向小型化,到20世纪中期出现了微型电子管。在此同时还发展了充气电子器件。由W.B.肖克莱(W.B.Shoekley)、J.巴丁(J.Bardeen)和W.H.布拉顿(W.H.Brattain)等经过共同研究,于1948年发明了第一只晶体管,由此发展起半导体器件,又称固体器件,这就产生了第二代电子器件—晶体管。到50年代中期,随着各种新工艺的发展,各种类型的晶体管如合金结晶体管、表面势垒晶体管、台面晶体管等相继问世。1960年前后,出现平面工艺制成硅平面晶体管,性能稳定可靠,由此发展促进了集成电路,从而产生了第三代电子器件。同时制成了金属一氧化物一半导体结构的绝缘栅场效应晶体管,为发展大规模集成电路提供了技术基础。 分类主要分为半导体器件、真空电子器件和充气电子器件三大类。 半导体器件按材料不同可分为锗管和硅管;按结构不同可分为二端器件如半导体二极管和三端器件如半导体三极管;按导电机理不同可分为单极型晶体管和双极型晶体管;按功能不同可分为普通二极管、特殊二极管、微波晶体管、低噪声晶体管、光电器件等;按频率范围不同可分为高频管、低频管等;按输出功率不同可分为小功率晶体管和大功率晶体管如绝缘栅场效应功率晶体管、晶闸管等;按单个器件与元件连接还是把晶体管与元件制作在一块基片上可分为分立器件和集成电路。 真空电子器件按结构不同可分为真空二极管、真空三极管和真空多极管等;按功能不同可分为放大管、阴极射线示波管、微波电子管、电子束管等。 充气电子器件按结构和所充气体不同可分为闸流管和引燃管等。 特点电子器件类型繁多,机理各异:①半导体器件是由半导体材料(如硅、锗、砷化稼、磷化稼等)制成。
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