1) HCI degradation
热载流子注入退化
2) HCI
热载流子注入
1.
The couple effects and physical mechanism of HCI(hot-carrier injection) and NBTI(negative bias temperature instability) in deep submicron pMOSFET’s are investigated.
研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制。
4) hot-carrier injection
热载子注入
1.
By comparing the MOS structure’s responses to hot-carrier injection and total dose radiation,the correlation between them is investigated.
通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性。
5) HCI effects
热载流子注入效应
1.
The influence of NBTI and HCI effects on the degradation of PMOSFETs characteristics is discussed in this paper.
首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释。
6) carrier injection
载流子注入
1.
The coulumb effect on the carrier injection process of BN nanotube;
BN纳米管载流子注入的库伦效应
2.
The carrier injection process of polymer light-emitting diodes (PLEDs) with MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene]) as the light-emitting layer, was investigated using impedance spectroscopy, capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-F) techniques.
采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程。
3.
The process of carrier injection is one of the most fundamental physical processes in PLED.
聚合物发光器件载流子注入过程是器件的一个基本物理过程，它对器件的许多重要性能都有重要的影响，为了提高电子的注入，经常在聚合物发光器件阴极与有机发光层之间插入一层介质修饰层，为了解阴极修饰层厚度变化时阴极电子的注入特性，本文制作了以MEH-PPV为有机发光层的聚合物电致发光器件，阴极修饰材料用LiF，当只改变LiF厚度时，一定电压下，器件的电流值随之先增大，而后又减小，这说明LiF在作为阴极修饰层时，存在一个最优厚度，这时电子注入势垒较低。
补充资料：载流子注入（carrierejection）
载流子注入（carrierejection）
半导体通过外界作用而产生非平衡载流子的过程称作载流子注入。利用光照在半导体内引入非平衡载流子的方法称为载流子的光注入。除光照外，还可以利用电的或其他能量传递方式在半导体中注入载流子，最常用的是电的方法，称作载流子电注入。电注入载流子现象的发现直接导致半导体放大器的发明。
在不同条件下，载流子注入的数量是不同的。当注入载流子浓度与热平衡时多数载流子浓度相比很小时，多数载流子浓度基本不变，而少数载流子浓度近似等于注入载流子浓度，这通常称作小注入情况；若注入载流子浓度可与多数载流子浓度相比，则称作大注入情况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条