1) Nonuniformity of carrier injection
载流子注入不均匀性
2) uneven injection
不均匀注入
3) implantation homogeneity
注入均匀性
1.
The implantation homogeneity of Type-100 MEVVA source ion implantor was therefore studied.
为此开展了100型MEVVA源注入机大批量的工件注入均匀性的研究。
4) implantation dose non-uniformity
注入剂量不均匀性
1.
The effect of processing technique parameters of implantation: voltage, plasma density, pulse duration and pulse frequency, on implantation dose non-uniformity was theoretically studied by sheath dynamics computer numerical modeling, and was experimentally measured.
叙述了全方位离子注入过程中,由于被处理零件与其周围离子鞘层之间厚度的增加,引起零件与鞘层之间保形性变差,导致零件表面注入剂量不均匀性;文中系统分析了注入电压、等离子体密度、脉冲宽度和脉冲频率等处理工艺参数对注入剂量不均匀性的影响,用鞘层动力学计算机数值模拟方法从理论上研究了轴承内外圈处理中工艺参数对注入剂量不均匀性的影响,并用实验方法进行了测量验证,理论研究和试验测量结果的一致性,说明所提出的窄脉冲保形全方位离子注入技术完全适用于复杂形状零件表面均匀强化处理。
5) non-uniform carrier distribution
载流子不均匀分布
1.
The effect of polarization and non-uniform carrier distribution in the GaN-based light emitting diodes;
GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响
6) nonuniformly injected Current
电流非均匀注入
补充资料：载流子注入（carrierejection）
载流子注入（carrierejection）
半导体通过外界作用而产生非平衡载流子的过程称作载流子注入。利用光照在半导体内引入非平衡载流子的方法称为载流子的光注入。除光照外，还可以利用电的或其他能量传递方式在半导体中注入载流子，最常用的是电的方法，称作载流子电注入。电注入载流子现象的发现直接导致半导体放大器的发明。
在不同条件下，载流子注入的数量是不同的。当注入载流子浓度与热平衡时多数载流子浓度相比很小时，多数载流子浓度基本不变，而少数载流子浓度近似等于注入载流子浓度，这通常称作小注入情况；若注入载流子浓度可与多数载流子浓度相比，则称作大注入情况。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条